公开(公告)号：CN1815720A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200610005457.7

申请日：2006-01-18

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 西村芳孝 ,  两角朗 ,  大西一永 ,  望月英司 ,  高桥良和

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。

公开(公告)号：CN1864909A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610051542.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机电子设备技术株式会社

Inventor： 両角朗 ,  征矢野伸 ,  高桥良和

IPC: B23K35/26 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)－锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3－5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。