公开(公告)号：CN101755334A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200780100002.6

申请日：2007-07-25

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 松木浩久 ,  今村和之

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/30105

Abstract: 提供一种半导体器件，其具有多个电极焊盘(47)，配设在半导体元件(100)中的绝缘层上；多个导电层(51)，被配设为一端与上述电极焊盘(47)的露出部连接，并针对各个上述电极焊盘(47)而分别在上述绝缘层上延伸；突起电极(52)，配设在上述导电层(51)的另一端上；上述导电层(51)相对于上述多个电极焊盘(47)，向一定的方向延伸。

公开(公告)号：CN100524669C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。