公开(公告)号：CN101276780A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090316.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 二瓶瑞久

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括：导电图案，形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述导电图案和所述第一绝缘膜上；孔，形成在所述导电图案上的所述第二绝缘膜中；多个碳纳米管，形成在所述孔中，从所述导电图案的表面延伸；以及埋置膜，埋置在所述孔中的所述多个碳纳米管之间的空隙中。利用本发明，相比于在导孔中选择性地形成催化剂颗粒和催化剂膜的情况，放宽了形成催化剂表面的条件。相比于现有技术，提高了由成束碳纳米管形成的通路的产量。此外，埋置绝缘膜可防止损害碳纳米管的气体和外来物质进入空隙。而且，由碳纳米管制成的通路仅作为仅在导孔中的导体，具有更低的电阻和更大的电流容量。

公开(公告)号：CN100595905C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810090316.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 二瓶瑞久

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明公开一种电子器件及其制造方法，该电子器件包括：导电图案，形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成在所述导电图案和所述第一绝缘膜上；孔，形成在所述导电图案上的所述第二绝缘膜中；多个碳纳米管，形成在所述孔中，从所述导电图案的表面延伸；以及埋置膜，埋置在所述孔中的所述多个碳纳米管之间的空隙中。利用本发明，相比于在导孔中选择性地形成催化剂颗粒和催化剂膜的情况，放宽了形成催化剂表面的条件。相比于现有技术，提高了由成束碳纳米管形成的通路的产量。此外，埋置绝缘膜可防止损害碳纳米管的气体和外来物质进入空隙。而且，由碳纳米管制成的通路仅作为仅在导孔中的导体，具有更低的电阻和更大的电流容量。

公开(公告)号：CN101276802A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087411.3

申请日：2008-03-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 二瓶瑞久 ,  佐藤信太郎 ,  近藤大雄 ,  粟野祐二

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0293 ,  H05K1/09 ,  H05K3/146 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/173 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49194 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个CNT来形成CNT束；以及，通过接触所述多个CNT使它们相交，以实现彼此的电连接。随后，以金属材料填充电连接后的CNT束的间隙，因此形成为该CNT束和该金属材料的复合状态的布线。