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公开(公告)号：CN1695182A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03825181.7
申请日：2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成，在该细孔的内部，从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层，(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下，(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍～3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法，包括：多孔质层形成工序，在基板上形成多孔质层形成材料层后，对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理，在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔，形成多孔质层；软磁性层形成工序，在该细孔的内部形成软磁性层；以及，强磁性层形成工序，在该软磁性层上形成强磁性层。
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公开(公告)号：CN102598277B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200980162433.4
申请日：2009-11-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/02282 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/043 , H01L23/53276 , H01L29/1606 , H01L29/66015 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , Y10S977/734 , H01L2924/00
Abstract: 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。
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公开(公告)号：CN102448879B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN200980159632.X
申请日：2009-06-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/20 , H01L29/1606 , H01L35/32 , Y10T428/261
Abstract: 本发明涉及一种石墨结构体和具有石墨结构体的电子部件，所述石墨结构体具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而形成的多个晶畴，并且所述多个晶畴配置成平面状，相邻的晶畴之间互相连接。
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公开(公告)号：CN103718296B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180072619.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0484 , C01B32/194 , C01B2204/06 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0259 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 在石墨烯（11）上堆积多个粒子（12），该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子（12）的温度为规定的温度以上，使粒子（12）吸收构成石墨烯（11）的该粒子（12）下面的部分的碳。除去粒子（12）。由此得到石墨烯纳米网（10）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103718296A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201180072619.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/02 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0484 , C01B32/194 , C01B2204/06 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/0259 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L31/035209
Abstract: 在石墨烯（11）上堆积多个粒子（12），该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子（12）的温度为规定的温度以上，使粒子（12）吸收构成石墨烯（11）的该粒子（12）下面的部分的碳。除去粒子（12）。由此得到石墨烯纳米网（10）。
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公开(公告)号：CN101276802A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087411.3
申请日：2008-03-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/76879 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0293 , H05K1/09 , H05K3/146 , H05K2201/026 , H05K2201/0323 , H05K2203/173 , Y10T29/49169 , Y10T29/49194 , Y10T29/49222 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种布线结构及其形成方法。根据本发明一个实施例，通过自接触块的相对面朝彼此的相对面生长多个CNT来形成CNT束；以及，通过接触所述多个CNT使它们相交，以实现彼此的电连接。随后，以金属材料填充电连接后的CNT束的间隙，因此形成为该CNT束和该金属材料的复合状态的布线。
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公开(公告)号：CN1675687A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819620.4
申请日：2003-02-06
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供的磁记录媒体，由基板、形成于基板上的下部电极层、形成于下部电极层上的阳极氧化铝膜(13)、形成于阳极氧化铝膜(13)的上部表面以及细孔(14)的内壁的碳层(15)、细孔(14)的隔有碳层(15)的内部形成的磁性粒子(16)、形成于碳层(15)以及磁性粒子(16)的表面的润滑层等构成。通过由碳层(15)覆盖阳极氧化铝膜(13)的表面以及细孔(14)的内壁，从而保护阳极氧化铝膜(13)，实现耐蚀性以及耐久性优良的磁记录媒体。
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公开(公告)号：CN104934300B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510249293.1
申请日：2009-11-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L29/778 , H01L29/16 , H01L23/532 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 涉及包含石墨烯(graphene)层的半导体装置及其制造方法。已知通过化学气相生长法等来使石墨烯在催化金属上生长的方法，但在该方法中，由于作为导体的催化金属和石墨烯接触，因而不能将石墨烯用作沟道(channel)。本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板(1)上形成催化膜(2)的工序；使石墨烯层(3)以所述催化膜(2)为起点生长的工序；在所述基板(1)上形成与所述石墨烯层(3)接触的电极(4)的工序；除去所述催化膜(2)的工序。
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