公开(公告)号：CN1628379A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02829105.0

申请日：2002-06-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶修一 ,  石栗雅彦 ,  村田浩一 ,  渡边英二 ,  玉川道昭 ,  佐藤明 ,  户井田安司 ,  三泽和博

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极，前述衬垫电极具有凹凸状的压痕，在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。

公开(公告)号：CN100382262C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN02829105.0

申请日：2002-06-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶修一 ,  石栗雅彦 ,  村田浩一 ,  渡边英二 ,  玉川道昭 ,  佐藤明 ,  户井田安司 ,  三泽和博

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极，前述衬垫电极具有凹凸状的压痕，在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。

公开(公告)号：CN101145533A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710180733.8

申请日：2002-06-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶修一 ,  石栗雅彦 ,  村田浩一 ,  渡边英二 ,  玉川道昭 ,  佐藤明 ,  户井田安司 ,  三泽和博

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极，前述衬垫电极具有凹凸状的压痕，在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。