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公开(公告)号:CN101145533A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200710180733.8
申请日:2002-06-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/2885 , H01L22/34 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/02125 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/12044 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极,前述衬垫电极具有凹凸状的压痕,在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。
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公开(公告)号:CN100382262C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN02829105.0
申请日:2002-06-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/2885 , H01L22/34 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/02125 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/12044 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极,前述衬垫电极具有凹凸状的压痕,在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。
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公开(公告)号:CN1628379A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02829105.0
申请日:2002-06-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/2885 , H01L22/34 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/02125 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/12044 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体装置包括基板、形成在前述基板上的衬垫电极和形成在前述衬垫电极上的凸块电极,前述衬垫电极具有凹凸状的压痕,在前述衬垫电极和前述凸块电极之间设置有覆盖前述凹凸压痕的图案。
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公开(公告)号:CN1627512A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN200410097360.4
申请日:2004-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1147 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2224/13099
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和以节距X1排列的凸电极阵列。每个凸电极具有高度X3,并且形成于直径为X2的阻挡金属基底上,该阻挡金属基底连接到该半导体衬底上所排列的电极,以满足关系(X1/2)≤X2≤(3×X1/4)和(X1/2)≤X3≤(3×X1/4)。
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公开(公告)号:CN117338318A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202310744823.4
申请日:2023-06-21
Applicant: 富士通株式会社 , 嘉美德医疗器械股份有限公司 , 株式会社UT-心脏研究所
IPC: A61B6/03 , A61B8/08 , A61B8/00 , A61B6/00 , G06T17/20 , G06V10/422 , G06V10/26 , G06V10/75 , G06V10/764 , A61B6/46 , A61B6/50
Abstract: 提供了三维形状数据生成方法、信息处理设备和记录介质。信息处理设备基于指示受试者的心脏的截面图像的回波图像数据生成指示包括心脏的内部结构的三维形状的心脏形状数据。然后,信息处理设备基于指示受试者的胸腔的X射线图像的X射线图像数据生成指示受试者的胸腔的三维形状的胸腔形状数据。然后,信息处理设备基于在X射线图像中呈现的心脏的图像来决定由心脏形状数据指示的心脏的三维形状在由胸腔形状数据指示的胸腔的三维形状内的位置和取向。
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