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公开(公告)号：CN114929930A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008729.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经配置激发(energize)溅射气体以用于在该内部空间中形成等离子体；处理套件，该处理套件围绕该溅射靶和该基板支撑件；和ACT和控制器，该ACT连接到该基座，该控制器经配置使用该ACT来调谐该基座以维持该内部空间中的该等离子体与该处理套件之间的预定电势差，其中该预定电势差是基于该ACT的总电容的百分比和与该处理腔室的接地路径相关的杂散电容。
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公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN103026466B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180032673.X
申请日：2011-06-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/2855 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3492 , H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种形成互连结构的方法。在一些实施例中，在衬底上形成互连结构的方法可包括：通过第一沉积工艺而在衬底的顶表面上和在特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述特征结构设置于衬底中，所述第一沉积工艺以在所述顶表面上较快的速率而在所述特征结构的底表面上较慢的速率而沉积所述材料；通过第二沉积工艺而在衬底的顶表面上和在所述特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述第二沉积工艺以在所述特征结构的底表面上较快的速率而在所述衬底的顶表面上较慢的速率而沉积所述材料；以及加热所沉积的材料以朝向特征结构的底表面吸引所沉积的材料，而使所沉积的材料至少部分地填充特征结构。
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公开(公告)号：CN101924006B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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公开(公告)号：CN117501823A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280040098.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本文描述位线堆叠及形成位线堆叠的方法。位线堆叠包含：多晶硅层；在多晶硅层上的粘着层；在粘着层上的阻挡金属层；在阻挡金属层上的界面层；在界面层上的电阻降低层；及在电阻降低层上的导电层。具有电阻降低层的位线堆叠比不具有电阻降低层的可比较的位线堆叠具有低至少5％的电阻。电阻降低层可包括氧化硅或氮化硅。可使用物理气相沉积(PVD)、射频‑PVD、脉冲式‑PVD、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或溅射处理的一者或多者形成电阻降低层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114946009A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008925.9
申请日：2021-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。
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公开(公告)号：CN102113091B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980130469.4
申请日：2009-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/542 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L21/02266
Abstract: 在等离子增强物理汽相沉积反应器中，横越工件的沉积速率径向分布的均匀性，通过施加射频与直流功率到靶材且独立地调整所述射频与直流功率的功率水平来提升。进一步最佳化可通过下述方式来达到：调整磁铁在所述靶材上方的高度；调整所述磁铁在所述靶材上方的轨道运动的半径；以及提供所述靶材的呈角度的边缘表面。
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公开(公告)号：CN117981043A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064304.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王智勇 , 哈伯特·冲 , 约翰·C·福斯特 , 艾琳娜·H·威索克 , 石铁峰 , 符钢 , 雷努·辉格 , 基思·A·米勒 , S·R·V·雷迪 , 雷建新 , 汪荣军 , 龚则敬 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿维纳什·纳亚克 , 周磊
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室包含：溅射靶材；腔室壁，至少部分地界定处理腔室之内的内部空间并且连接至地；电源，包含射频电源；处理套组，围绕溅射靶材及基板支撑件；自动电容调谐器(ACT)，连接至地及溅射靶材；及控制器，被构造为激发安置在处理腔室的内部空间中的清洁气体以产生等离子体，并且使用ACT调谐溅射靶材以在蚀刻工艺期间保持内部空间中的等离子体与处理套组之间的预定电位差，以从处理套组中移除溅射材料，其中该预定电位差基于ACT的谐振点。
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公开(公告)号：CN114930508A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008580.7
申请日：2021-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 描述了一种清洁用于制造半导体装置的接面界面的处理，涉及在垂直分离的区域之间形成低电阻的电连接。可执行蚀刻以移除凹陷特征底部处的硅表面上的氧化硅。描述了用于蚀刻孔或沟槽底部处的氧化物同时最小化对底层的外延层和场上的介电层和金属栅极结构的转角的影响的方法和设备。用于蚀刻特征的方法涉及配备有电容耦合等离子体和电感耦合等离子体的组合的反应腔室。CHxFy气体和等离子体用于形成保护层，可通过NH3‑NF3等离子体使选择性蚀刻底部二氧化硅成为可能。理想情况下，EPI上的氧化硅被移除以确保低电阻的电接触，同时外延层和场/转角介电层仅被最少地蚀刻或完全不被蚀刻。
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公开(公告)号：CN102439697B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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