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公开(公告)号：CN104704603A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201280075041.6
申请日：2012-07-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345
Abstract: 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。
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公开(公告)号：CN103098218A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043434.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/28008 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种用于在基板(102)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100、302)的方法，该基板(102)设置在处理腔室(104)中。该方法包含：将处理气体(116)引进，以在该处理腔室(104)中产生等离子体；将该基板(102)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；以及通过在中等频率下溅射靶组件(108)来在经加热的该基板(102)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。
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公开(公告)号：CN104704603B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280075041.6
申请日：2012-07-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/345
Abstract: 本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。
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公开(公告)号：CN103098218B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201180043434.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/49
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/28008 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种用于在基板(102)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100、302)的方法，该基板(102)设置在处理腔室(104)中。该方法包含：将处理气体(116)引进，以在该处理腔室(104)中产生等离子体；将该基板(102)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；以及通过在中等频率下溅射靶组件(108)来在经加热的该基板(102)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。
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公开(公告)号：CN103827347B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180073000.9
申请日：2011-08-25
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3417 , C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01J37/3435
Abstract: 提供了一种用以在基板上沉积沉积材料层的沉积装置。所述装置包括：基板支撑件，适于支撑基板；靶材支撑件（520），适于支撑靶材组件，所述靶材组件包括背部元件与至少两个靶材元件（510、511），所述至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，故在所述至少两个靶材元件之间形成间隙（530）。靶材元件间的间隙具有宽度（w）。而且，基板支撑件与靶材支撑件相互配置，而使基板与靶材元件的距离（570）和间隙宽度w的比例至少约为150或以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103827347A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201180073000.9
申请日：2011-08-25
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3417 , C23C14/3407 , H01J37/34 , H01J37/3414 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供了一种用以在基板上沉积沉积材料层的沉积装置。所述装置包括：基板支撑件，适于支撑基板；靶材支撑件（520），适于支撑靶材组件，所述靶材组件包括背部元件与至少两个靶材元件（510、511），所述至少两个靶材元件配置在所述背部元件上且互邻，故在所述至少两个靶材元件之间形成间隙（530）。靶材元件间的间隙具有宽度（w）。而且，基板支撑件与靶材支撑件相互配置，而使基板与靶材元件的距离（570）和间隙宽度w的比例至少约为150或以上。
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公开(公告)号：CN103314130B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180065117.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
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公开(公告)号：CN104350173A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201280073588.2
申请日：2012-05-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3473 , C23C14/35 , C23C14/352 , H01J37/32568 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明公开了一种通过一阴极配置来涂布一基板的方法，所述阴极配置包括至少二个可转动阴极。此方法包括于一第一方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者，且同时于一第二方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者。第一方向是相反于第二方向。再者，公开了一种用于控制一涂布工艺的控制器。此外，公开了一种用于涂布一基板的涂布机。此涂布机包括一阴极配置及一控制器。阴极配置具有至少二个可转动阴极。此控制器是如此处所公开的。
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公开(公告)号：CN103890226A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180072999.5
申请日：2011-08-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/042 , C23C16/042
Abstract: 说明了一种用以形成沉积材料层于基板上的沉积设备。沉积设备包括：基板支撑件，用以支撑基板；以及边缘（660）排除遮罩（640），用以在层沉积期间覆盖基板（610）的周边。遮罩具有至少一框部，该至少一框部定义一孔洞。遮罩的该至少一框部用以根据在遮罩的该至少一框部上沉积的沉积材料的数量来相对于基板移动（670，680）。进一步来说，说明了一种利用边缘排除遮罩来沉积沉积材料层于基板上的方法。
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公开(公告)号：CN103314130A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180065117.2
申请日：2011-10-24
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件（130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料（210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标（270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
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