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公开(公告)号：CN106460147A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079601.4
申请日：2014-06-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/04 , C23C14/50 , C23C16/04 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/042 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C16/458
Abstract: 描述一种用以在基板上沉积层的边缘排除掩模。边缘排除掩模包括具有边缘的边缘区域，其中边缘适于具有20°或更小的相对于基板的倾斜角。
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公开(公告)号：CN107574426B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710858361.3
申请日：2013-03-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C14/50
Abstract: 描述了一种用于基板的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元，各固定单元包括：边缘接触表面，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件，具有第一表面，所述第一表面配置用以接触基板的第一基板表面，其中所述第一固定元件自接触位置延伸第一长度L1，所述第一长度实质上平行于第一基板表面；第二固定元件，具有第二表面，所述第二表面配置用以接触基板的第二基板表面，其中所述第二基板表面相对于所述基板的所述第一基板表面，且其中所述第二固定元件自接触位置延伸第二长度L2，所述第二长度实质上平行于第二基板表面；力元件，用于以第一及第二固定元件的至少一个向基板提供固定力。
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公开(公告)号：CN106165081A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480077375.6
申请日：2014-04-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67712 , H01L21/67715
Abstract: 描述一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在所述第一真空腔室中将所述基板从所述第一传输轨道横向地移位至所述第二传输轨道或反之亦然；以及真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中所述真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使所述基板在所述第二真空腔室中围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轨道可旋转以与所述第一传输轨道形成线性传输路径，并且所述第二旋转轨道可旋转以与所述第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。
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公开(公告)号：CN106165058A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201480077982.2
申请日：2014-04-17
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/347 , C23C14/352 , C23C14/542 , C23C14/568 , H01J37/32385 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3464
Abstract: 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。
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公开(公告)号：CN105189812A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201380074727.8
申请日：2013-03-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4587 , C23C14/50
Abstract: 描述了一种于真空处理的基板工艺腔室中支撑基板(101)的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元(120)，各固定单元包括：边缘接触表面(121)，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件(122)，具有第一表面(124)，所述第一表面配置用以接触基板的第一基板表面(102)，其中所述第一固定元件自接触位置延伸第一长度L1，所述第一长度实质上平行于第一基板表面；第二固定元件(123)，具有第二表面(125)，所述第二表面配置用以接触基板的第二基板表面(103)，其中所述第二基板表面相对于所述基板的所述第一基板表面，且其中所述第二固定元件自接触位置延伸第二长度L2，所述第二长度实质上平行于第二基板表面；力元件(130)，用于以第一及第二固定元件的至少一个向基板提供固定力(140)；其中第一长度及第二长度中较短的长度与固定力的组合提供力矩(140)；其中一或多个固定单元提供每基板边缘长度单位10Nmm或更高的力矩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104781448B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201280076987.4
申请日：2012-11-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/042 , C23C16/4401 , H01J2237/3323 , H01L21/67173 , H01L21/67751 , H01L21/6776
Abstract: 提供了一种用于自基板处理系统的处理腔体取出遮蔽元件或插入遮蔽元件至处理腔体中的方法。基板处理系统包括处理腔体、第一遮蔽元件、及基板传输系统。第一遮蔽元件用于排除材料应用于基板的数个部分。基板传输系统用于传输数个基板或数个基板载体至处理腔体内或至处理腔体外。此方法包括通过基板传输系统传输第一遮蔽元件。
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公开(公告)号：CN107574426A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710858361.3
申请日：2013-03-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C14/50
Abstract: 描述了一种用于基板的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元，各固定单元包括：边缘接触表面，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件，具有第一表面，所述第一表面配置用以接触基板的第一基板表面，其中所述第一固定元件自接触位置延伸第一长度L1，所述第一长度实质上平行于第一基板表面；第二固定元件，具有第二表面，所述第二表面配置用以接触基板的第二基板表面，其中所述第二基板表面相对于所述基板的所述第一基板表面，且其中所述第二固定元件自接触位置延伸第二长度L2，所述第二长度实质上平行于第二基板表面；力元件，用于以第一及第二固定元件的至少一个向基板提供固定力。
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公开(公告)号：CN105189812B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201380074727.8
申请日：2013-03-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4587 , C23C14/50
Abstract: 描述了一种于真空处理的基板工艺腔室中支撑基板(101)的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元(120)，各固定单元包括：边缘接触表面(121)，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件(122)，具有第一表面(124)，所述第一表面配置用以接触基板的第一基板表面(102)，其中所述第一固定元件自接触位置延伸第一长度L1，所述第一长度实质上平行于第一基板表面；第二固定元件(123)，具有第二表面(125)，所述第二表面配置用以接触基板的第二基板表面(103)，其中所述第二基板表面相对于所述基板的所述第一基板表面，且其中所述第二固定元件自接触位置延伸第二长度L2，所述第二长度实质上平行于第二基板表面；力元件(130)，用于以第一及第二固定元件的至少一个向基板提供固定力(140)；其中第一长度及第二长度中较短的长度与固定力的组合提供力矩(140)；其中一或多个固定单元提供每基板边缘长度单位10Nmm或更高的力矩。
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公开(公告)号：CN105849310B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201380081823.5
申请日：2013-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 提供一种用于在真空层沉积期间保持基板(20)的保持设备(10)。所述保持设备(10)包括：框架，所述框架具有一或多个框架元件；以及一或多个接触界面(50、500)，所述一或多个接触界面提供在所述框架元件中的一或多个处，并且被配置来接触输送系统的一或多个输送辊(60)，其中所述一或多个接触界面(50、500)的材料的萧氏D硬度在85至90的范围内。
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