公开(公告)号：CN101919035B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880125041.6

申请日：2008-10-09

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 约翰·特尔坎普

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3426 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49555 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/1084 ,  H05K2201/10848 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种经封装表面安装半导体装置(100)，其具有结构化成五个毗连部分的外部未经囊封引线段：第一部分(141)从囊封物(120)大约水平地伸出；第二部分(142)向下形成凸弯；第三部分(143)为大致笔直向下的；第四部分(144)向上形成凹弯；且第五部分(145)为水平笔直的。每一段跨越宽度具有位于所述第三部分中的第一槽，所述第一槽位于底部表面上或位于顶部表面上。优选地，所述槽在垂向上位于所述第五引线部分的底部表面上方大约2个引线框架厚度处。当经模压而成时，所述槽可具有大约5μm及50μm深的角形外形；当经蚀刻而成时，所述槽可具有大约50到125μm深的大致半圆形外形。第二槽可位于所述第二段部分中；第三槽可位于从所述第三段部分向所述第四段部分的过渡区域中。

公开(公告)号：CN101919035A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880125041.6

申请日：2008-10-09

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 约翰·特尔坎普

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3426 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49555 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K2201/10689 ,  H05K2201/1084 ,  H05K2201/10848 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种经封装表面安装半导体装置(100)，其具有结构化成五个毗连部分的外部未经囊封引线段：第一部分(141)从囊封物(120)大约水平地伸出；第二部分(142)向下形成凸弯；第三部分(143)为大致笔直向下的；第四部分(144)向上形成凹弯；且第五部分(145)为水平笔直的。每一段跨越宽度具有位于所述第三部分中的第一槽，所述第一槽位于底部表面上或位于顶部表面上。优选地，所述槽在垂向上位于所述第五引线部分的底部表面上方大约2个引线框架厚度处。当经模压而成时，所述槽可具有大约5μm及50μm深的角形外形；当经蚀刻而成时，所述槽可具有大约50到125μm深的大致半圆形外形。第二槽可位于所述第二段部分中；第三槽可位于从所述第三段部分向所述第四段部分的过渡区域中。