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公开(公告)号：CN108281407B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710762746.X
申请日：2017-08-30
Applicant: 意法半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及一种引线框架，该引线框架具有在引线框架的主体中的凹部，用以收集从将半导体管芯耦合至引线框架的制造工艺中溢流的胶。该凹部在半导体管芯的边缘下方延伸，使得粘合至半导体管芯的胶的任何趋势被该胶粘附至凹部的壁的趋势所抵消，并且至少部分地填充凹部的体积。此外，用于收集粘合剂的凹部还可以在引线框架的边缘上形成锁模，该锁模在物理和温度应力期间提供引线框架与密封剂之间更加持久的连接。
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公开(公告)号：CN106298650B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201511001575.6
申请日：2015-12-28
Applicant: 意法半导体公司
Abstract: 本披露的实施例涉及使用牺牲材料而分离的半导体封装体。一个或多个实施例涉及使用牺牲材料组装而成的半导体封装体，当去除该牺牲材料时，该牺牲材料将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。通过掩盖技术去除该牺牲材料，从而使得掩模、图案化或者对准步骤都不需要。在一个实施例中，在相邻引线之间的引线框的连接杆上的引线框上形成该牺牲材料。在模制步骤之后，该连接杆被蚀刻掉，从而暴露该牺牲材料的表面。去除该牺牲材料，由此将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。
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公开(公告)号：CN110010489A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811519117.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 意法半导体公司
Inventor： J·塔利多
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本申请涉及用于制作带有侧壁凹陷的半导体器件的方法及相关器件。该方法可以包括提供具有凹陷的引线框、在该引线框的该凹陷内形成牺牲材料以及在该引线框上安装IC。该方法可以包括：包封该IC和该引线框、去除该引线框的多个部分以限定用于该IC的多个引线框触点以及去除该牺牲材料以针对每个引线框触点来限定焊料锚固接片，该焊料锚固接片在下部区域处向外延伸并且在该焊料锚固接片与该包封材料的相对部分之间限定了侧壁凹陷。
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公开(公告)号：CN110010489B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201811519117.5
申请日：2015-12-24
Applicant: 意法半导体公司
Inventor： J·塔利多
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本申请涉及用于制作带有侧壁凹陷的半导体器件的方法及相关器件。该方法可以包括提供具有凹陷的引线框、在该引线框的该凹陷内形成牺牲材料以及在该引线框上安装IC。该方法可以包括：包封该IC和该引线框、去除该引线框的多个部分以限定用于该IC的多个引线框触点以及去除该牺牲材料以针对每个引线框触点来限定焊料锚固接片，该焊料锚固接片在下部区域处向外延伸并且在该焊料锚固接片与该包封材料的相对部分之间限定了侧壁凹陷。
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公开(公告)号：CN107492527B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201710289319.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 意法半导体公司
Inventor： J·塔利多
Abstract: 本申请涉及具有顺应性角的堆叠半导体封装体。一个或多个实施例涉及堆叠在柔性折叠衬底上的堆叠封装体，比如封装体上封装体(PoP)封装体。这些堆叠封装体具有顺应性角。具体地，这些堆叠封装体包括在该折叠衬底的层之间的这些角处的粘合材料。该粘合材料具有低弹性模量，如例如，硅树脂粘合剂的弹性模量。该粘合材料的该低弹性模量产生了该堆叠封装体的顺应性角。该粘合材料对该折叠衬底之间的在该堆叠封装体的底部半导体封装体周围形成的开口进行填充。就此而言，该底部半导体封装体可以具有拉回角或者凹角，并且该粘合材料对由这些凹角所形成的这些开口进行填充。这些凹角可以具有任何大小或者形状。
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公开(公告)号：CN111312682A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911277569.1
申请日：2019-12-11
Applicant: 意法半导体公司
Inventor： J·塔利多
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本公开的实施例涉及紧凑型引线框封装件。总体而言，一个或多个实施例是针对一种引线框封装件，其具有多个引线、裸片焊盘、耦合至裸片焊盘的半导体裸片和包封材料。裸片焊盘的内部部分包括周界部分，周界部分包括彼此间隔开的多个突起。突起帮助将裸片焊盘锁定在包封材料中。多个引线包括上部部分和基底部分。多个引线的基底部分相对于裸片焊盘的多个突起偏移(或交错)。特别地，基底部分朝向裸片焊盘纵向延伸，并且位于相应的突起之间。引线的上部部分包括引线锁，引线锁沿相邻引线的方向延伸超出基底部分。引线锁和裸片焊盘中的突起帮助将引线和裸片焊盘锁定在包封材料中。
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公开(公告)号：CN106847780B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610188687.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 意法半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体器件可以包括具有开口的电路板、以及框架。该框架可以具有在该开口中的IC裸片焊盘、以及从该IC裸片焊盘向外延伸并且耦接至该电路板的多个臂。该半导体器件可以包括：安装在该IC裸片焊盘上的IC；将该电路板与该IC相耦接的多条键合接线；以及包围该IC、这些键合接线和这些臂的包封材料。
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公开(公告)号：CN108321138A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201710755823.9
申请日：2017-08-29
Applicant: 意法半导体公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/482 , H01L23/49541 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/26122 , H01L2224/29198 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/48245 , H01L2224/73265
Abstract: 本公开涉及具有金属化侧壁的裸片和制造所述裸片的方法。将连续金属层施加至晶片的背侧的每一边缘。在所述背侧中形成的多个沟道的底部处切割所述晶片以产生单独的裸片，所述单独的裸片分别具有作为所述裸片的侧壁的一部分的凸缘，并且包括被所述金属层覆盖的部分。当将单独的裸片耦合至裸片焊盘时，半导电胶水将在所述侧壁上的所述金属层和所述裸片的背侧粘附至所述裸片焊盘，从而减少沿着所述裸片的侧面的层离的风险。所述凸缘还通过用作防止所述胶水粘附爬升到所述裸片的所述侧壁的障碍，来防止所述胶水接触所述裸片的所述有源侧。
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公开(公告)号：CN106298650A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201511001575.6
申请日：2015-12-28
Applicant: 意法半导体公司
Abstract: 本披露的实施例涉及使用牺牲材料而分离的半导体封装体。一个或多个实施例涉及使用牺牲材料组装而成的半导体封装体，当去除该牺牲材料时，该牺牲材料将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。通过掩盖技术去除该牺牲材料，从而使得掩模、图案化或者对准步骤都不需要。在一个实施例中，在相邻引线之间的引线框的连接杆上的引线框上形成该牺牲材料。在模制步骤之后，该连接杆被蚀刻掉，从而暴露该牺牲材料的表面。去除该牺牲材料，由此将这些组装的封装体分离成多个单独的封装体。
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