公开(公告)号：CN101189793B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200680019453.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·普兰迪 ,  E·拉萨兰德拉 ,  T·昂加雷蒂

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02409 ,  G01C19/5726 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H03H2009/02496

Abstract: 一种用于控制振荡微机电系统的谐振频率的装置包含：微观结构(2)，所述微观结构(2)具有第一基体(10)和第二基体(11)，该第二基体(11)被电容性耦合到该第一基体(10)且可以以可校准的谐振频率(ωR)相对于其弹性振荡，其中该第二基体(11)和该第一基体(10)之间的相对位移(ΔY)可从外面检测；以及放大器(21)，其耦合到微观结构(2)用于检测相对位移(ΔY)。DC去耦元件(23)设置在放大器(21)和微观结构(2)之间。

公开(公告)号：CN101331080A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680046903.7

申请日：2006-07-14

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： C·康比 ,  B·维格纳 ,  F·G·齐格利奥利 ,  L·巴尔多 ,  M·马古格利亚尼 ,  E·拉萨兰德拉 ,  C·里瓦

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/0023 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R1/04 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。

公开(公告)号：CN101331080B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200680046903.7

申请日：2006-07-14

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： C·康比 ,  B·维格纳 ,  F·G·齐格利奥利 ,  L·巴尔多 ,  M·马古格利亚尼 ,  E·拉萨兰德拉 ,  C·里瓦

IPC: H01L21/56 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/0023 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R1/04 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。

公开(公告)号：CN101189793A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019453.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·普兰迪 ,  E·拉萨兰德拉 ,  T·昂加雷蒂

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02409 ,  G01C19/5726 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  H03H2009/02496

Abstract: 一种用于控制振荡微机电系统的谐振频率的装置包含：微观结构(2)，所述微观结构(2)具有第一基体(10)和第二基体(11)，该第二基体(11)被电容性耦合到该第一基体(10)且可以以可校准的谐振频率(ωR)相对于其弹性振荡，其中该第二基体(11)和该第一基体(10)之间的相对位移(ΔY)可从外面检测；以及放大器(21)，其耦合到微观结构(2)用于检测相对位移(ΔY)。DC去耦元件(23)设置在放大器(21)和微观结构(2)之间。