-
公开(公告)号：CN117945340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311420546.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于制造包括两个半导体管芯的器件的器件和方法。该器件由第一管芯和第二管芯形成。第一管芯由半导体材料制成并集成电子元件。第二管芯具有主表面，形成图案化结构，并结合到第一管芯。内部电耦合结构将第一管芯的主表面电耦合到第二管芯。外部连接区域在第一管芯的主表面上延伸。封装件封装第一管芯、第二管芯和内部电耦合结构并且部分地围绕外部连接区域，外部连接区域部分地从封装件突出。
-
公开(公告)号：CN107539941B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
-
公开(公告)号：CN117509531A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310965613.8
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种电子器件包括：MEMS传感器器件，MEMS传感器器件包括将化学量或物理量转换为对应电学量的功能结构；帽，帽包括半导电衬底；以及将帽机械耦合到MEMS传感器器件的键合介电区域。帽还包括导电区域，导电区域在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分相对于半导电衬底横向布置并且被暴露，以便能够通过对应引线键合件电耦合到处于参考电势的端子，第二部分接触半导电衬底。
-
公开(公告)号：CN221440346U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322918834.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件和微机电系统。一种半导体器件，包括：第一管芯，集成电子元件；第二管芯，结合到所述第一管芯并且形成图案化结构，所述第一管芯具有主表面；内部电耦合结构，将所述第一管芯的所述主表面电耦合到所述第二管芯；外部连接区域，在所述第一管芯的所述主表面上；以及封装件，所述封装件封装所述第一管芯、所述第二管芯和所述内部电耦合结构并且部分地围绕所述外部连接区域，所述外部连接区域从所述封装件部分地突出。利用本公开的实施例使得最终器件成本低廉且具有良好的控制。因此，最终器件具有相对较低的成本。
-
公开(公告)号：CN221275213U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322062933.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的一个或多个实施例涉及电子器件，包括：MEMS传感器器件，包括转换结构，转换结构被配置为在操作中将化学量或物理量转换为对应电学量；帽，包括：半导电衬底；以及导电区域，在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，导电区域包括：第一部分，相对于半导电衬底横向布置并且被暴露；以及第二部分，与半导电衬底接触；键合介电区域，将帽机械耦合到MEMS传感器器件。
-
公开(公告)号：CN206635022U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201621483563.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.039 seconds)
