公开(公告)号：CN103917482B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280053446.X

申请日：2012-10-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·坎佩代利 ,  R·佩祖托 ,  S·洛萨 ,  M·曼托瓦尼 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00476 ,  H01L29/84

Abstract: 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。

公开(公告)号：CN103917482A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280053446.X

申请日：2012-10-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·坎佩代利 ,  R·佩祖托 ,  S·洛萨 ,  M·曼托瓦尼 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00476 ,  H01L29/84

Abstract: 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。