-
公开(公告)号：CN112119038B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202080002709.9
申请日：2020-01-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTE与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。
-
公开(公告)号：CN110709368A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036770.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C09K11/08 , C09K11/80
Abstract: 一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm-1以下。另外，一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于5mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm-1以下。本发明的实施方式的课题在于提供一种大型且透明的多晶YAG烧结体及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN111868007B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201980018765.9
申请日：2019-10-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/505 , C04B35/44 , H01S3/10
Abstract: 一种Cr：YAG烧结体，其特征在于，所述Cr：YAG烧结体含有Al、Y、Cr、Ca、Mg、Si和O，并且该烧结体中的成分含量满足下述1)～3)的条件式。其中，在条件式中，各元素符号表示成分含量(原子ppm)。1)|(Y+Ca)/(Al+Cr+Si+Mg)‑0.6|＜0.001；2)0原子ppm≤(Ca+Mg)‑(Cr+Si)≤50原子ppm；3)50原子ppm≤Si≤500原子ppm。本发明的实施方式的课题在于提供一种透光性优异并且Cr4+转化率高的Cr：YAG烧结体及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN112654588A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058336.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种光吸收层，所述光吸收层通过与激光介质接合而构成接合体，其特征在于，所述光吸收层包含玻璃材料，并且在激光介质的振荡波长(波长大于等于650nm且小于1400nm)下，所述光吸收层具有0.1cm‑1～10.0cm‑1的吸收系数，所述光吸收层与激光介质的折射率差在±0.1以内，并且所述光吸收层与激光介质的线性热膨胀系数差在±1ppm/K以内。本发明的课题在于提供一种用于防止寄生振荡的光吸收层、以及能够抑制制造成本并且容易进行用于制作接合体的加工的材料。
-
公开(公告)号：CN112119038A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202080002709.9
申请日：2020-01-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTR与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201880036770.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C09K11/08 , C09K11/80
Abstract: 一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。另外，一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于5mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。本发明的实施方式的课题在于提供一种大型且透明的多晶YAG烧结体及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN114502520A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069254.2
申请日：2020-10-13
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种YAG陶瓷接合体，是将YAG陶瓷与YAG陶瓷或光学玻璃接合而成的YAG陶瓷接合体，其特征在于，所述YAG陶瓷接合体具备玻璃作为接合层，透射率的变化率为7％以内。课题是提供一种接合体及其制造方法，所述接合体是将YAG陶瓷与YAG陶瓷接合而成的接合体、或者将YAG陶瓷与光学玻璃接合而成的接合体，所述接合体抑制了接合界面处的光的反射。
-
公开(公告)号：CN111868007A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018765.9
申请日：2019-10-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/505 , C04B35/44 , H01S3/10
Abstract: 一种Cr：YAG烧结体，其特征在于，所述Cr：YAG烧结体含有Al、Y、Cr、Ca、Mg、Si和O，并且该烧结体中的成分含量满足下述1)～3)的条件式。其中，在条件式中，各元素符号表示成分含量(原子ppm)。1)|(Y+Ca)/(Al+Cr+Si+Mg)‑0.6|＜0.001；2)0原子ppm≤(Ca+Mg)‑(Cr+Si)≤50原子ppm；3)50原子ppm≤Si≤500原子ppm。本发明的实施方式的课题在于提供一种透光性优异并且Cr4+转化率高的Cr：YAG烧结体及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN114502520B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080069254.2
申请日：2020-10-13
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种YAG陶瓷接合体，是将YAG陶瓷与YAG陶瓷或光学玻璃接合而成的YAG陶瓷接合体，其特征在于，所述YAG陶瓷接合体具备玻璃作为接合层，透射率的变化率为7％以内。课题是提供一种接合体及其制造方法，所述接合体是将YAG陶瓷与YAG陶瓷接合而成的接合体、或者将YAG陶瓷与光学玻璃接合而成的接合体，所述接合体抑制了接合界面处的光的反射。
-
公开(公告)号：CN115259850A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210783204.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C09K11/77
Abstract: 本发明涉及多晶YAG烧结体及其制造方法。一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。另外，一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于5mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm‑1以下。本发明的实施方式的课题在于提供一种大型且透明的多晶YAG烧结体及其制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.034 seconds)
