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公开(公告)号：CN111164233B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201980004774.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110637102B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980002388.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。另外，一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(‑111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体，所述氧化物薄膜具有以下优异的特性：反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工，另一方面，耐候性高、不易发生经时变化。
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公开(公告)号：CN112119038B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202080002709.9
申请日：2020-01-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTE与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111164233A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201980004774.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110637102A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201980002388.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。另外，一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(-111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体，所述氧化物薄膜具有以下优异的特性：反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工，另一方面，耐候性高、不易发生经时变化。
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公开(公告)号：CN114182216A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110422866.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤W/(Cu+W)＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。
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公开(公告)号：CN112119038A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202080002709.9
申请日：2020-01-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTR与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。
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