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公开(公告)号：CN107012435A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610857413.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 奈良淳史
Abstract: 本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。
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公开(公告)号：CN111164233B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201980004774.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110637102B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980002388.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。另外，一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(‑111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体，所述氧化物薄膜具有以下优异的特性：反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工，另一方面，耐候性高、不易发生经时变化。
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公开(公告)号：CN107207356B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680006701.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14
Abstract: 一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。本发明的课题在于即使在通过DC溅射进行成膜时不向气氛中引入氧气，也有效地得到高透射率且低折射率的非晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107254669A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710312099.2
申请日：2013-12-24
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 奈良淳史
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/3407 , C04B35/00 , C04B35/64 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及烧结体和非晶膜。本发明的课题在于提供能够得到能够保持良好的可见光透射率和导电性的透明导电膜、尤其是低折射率的非晶膜的烧结体。这种薄膜的透射率高且机械特性优良，因此可用于显示器的透明导电膜、光盘的保护膜。本发明的目的在于由此提高光器件的特性、降低设备成本、大幅改善成膜的特性。
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公开(公告)号：CN114182216A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110422866.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤W/(Cu+W)＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。
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公开(公告)号：CN111164233A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201980004774.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107012435B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201610857413.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 奈良淳史
Abstract: 本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。
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