公开(公告)号：CN111757599B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202010223434.3

申请日：2020-03-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 石野裕士

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  C25D1/04 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明提供微细电路形成后的弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量％以上的Cu和余量的不可避免的杂质的铜箔，使用由铜箔形成电路而得的宽度为12.7mm、长度为200mm的双层单面CCL样品，以曲率半径R=2.0进行2000次的IPC滑动弯曲之后的电路表面的表面粗糙度Ra为0.030μm以上且0.400μm以下。

公开(公告)号：CN112210689B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202010662207.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介 ,  石野裕士

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/09

Abstract: 提供使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P，且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔，其中，Copper取向的晶体取向密度低于10，Brass取向的晶体取向密度低于20。

公开(公告)号：CN110072333A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910043638.6

申请日：2019-01-17

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 石野裕士

IPC: H05K1/09 ,  C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/10 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04

Abstract: [课题]提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备。[解决手段]柔性印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的铜箔，平均晶粒直径为0.5~4.0μm，铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0，电导率为80%以上。

公开(公告)号：CN110072333B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201910043638.6

申请日：2019-01-17

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 石野裕士

IPC: H05K1/09 ,  C22F1/08 ,  C22C9/00 ,  C22C9/10 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04

Abstract: [课题]提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层叠体、柔性印刷基板、和电子设备。[解决手段]柔性印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、余量的不可避免的杂质的铜箔，平均晶粒直径为0.5~4.0μm，铜箔表面的X射线衍射强度I(220)/I0(220)所表示的集合度为1.3以上且低于7.0，电导率为80%以上。

公开(公告)号：CN112210689A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010662207.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介 ,  石野裕士

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/09

Abstract: 提供使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P，且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔，其中，Copper取向的晶体取向密度低于10，Brass取向的晶体取向密度低于20。

公开(公告)号：CN111757599A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010223434.3

申请日：2020-03-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 石野裕士

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  C25D1/04 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明提供微细电路形成后的弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量％以上的Cu和余量的不可避免的杂质的铜箔，使用由铜箔形成电路而得的宽度为12.7mm、长度为200mm的双层单面CCL样品，以曲率半径R=2.0进行2000次的IPC滑动弯曲之后的电路表面的表面粗糙度Ra为0.030μm以上且0.400μm以下。