离子注入方法以及离子注入装置

    公开(公告)号:CN105023822A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510148755.0

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备:射束扫描器(26);射束测量部,能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布;及控制部(60),将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括:输出部,将基准控制波形输出到射束扫描器(26);获取部,从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布;及生成部,利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。

    射束照射装置及射束照射方法

    公开(公告)号:CN105280467B

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201510323772.3

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明提供一种提高射束照射处理品质的技术。本发明的射束照射装置(10)具备:射束扫描器(26),使带电粒子束(B)沿规定的扫描方向往复扫描;测定器(42),能够测量射入到作为测量对象的区域的带电粒子的角度成分;及数据处理部,利用测定器(42)的测定结果,计算带电粒子束(B)的有效照射发射度。测定器(42)在沿扫描方向往复扫描的带电粒子束(B)通过作为测量对象的区域而射入到测定器(42)的时间内测量针对带电粒子束(B)的角度分布的时间变化值,数据处理部将测定器所测量的角度分布的时间变化值中所包含的时间信息转换为位置信息来计算有效照射发射度。有效照射发射度表示针对假想射束的发射度,所述假想射束能够通过将沿扫描方向扫描而射入到作为测量对象的区域的带电粒子束的一部分相加而形成。

    射束照射装置及射束照射方法

    公开(公告)号:CN105280467A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510323772.3

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明提供一种提高射束照射处理品质的技术。本发明的射束照射装置(10)具备:射束扫描器(26),使带电粒子束(B)沿规定的扫描方向往复扫描;测定器(42),能够测量射入到作为测量对象的区域的带电粒子的角度成分;及数据处理部,利用测定器(42)的测定结果,计算带电粒子束(B)的有效照射发射度。测定器(42)在沿扫描方向往复扫描的带电粒子束(B)通过作为测量对象的区域而射入到测定器(42)的时间内测量针对带电粒子束(B)的角度分布的时间变化值,数据处理部将测定器所测量的角度分布的时间变化值中所包含的时间信息转换为位置信息来计算有效照射发射度。有效照射发射度表示针对假想射束的发射度,所述假想射束能够通过将沿扫描方向扫描而射入到作为测量对象的区域的带电粒子束的一部分相加而形成。

    离子注入方法以及离子注入装置

    公开(公告)号:CN105023822B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201510148755.0

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备:射束扫描器(26);射束测量部,能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布;及控制部(60),将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括:输出部,将基准控制波形输出到射束扫描器(26);获取部,从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布;及生成部,利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。

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