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公开(公告)号：CN104183447A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410172111.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
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公开(公告)号：CN104658843B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410675978.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/09
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/08 , H01J2237/24535 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法，其课题在于例如在高能量离子注入装置中调整注入射束电流。本发明的用于离子注入装置的射束电流调整装置(300)具备配置于离子束的会聚点(P)或其附近的可变孔隙(302)。可变孔隙(302)构成为，调整会聚点(P)的与离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。可变孔隙(302)可以配置于紧接质量分析狭缝(22b)的后方。射束电流调整装置(300)也可以设置于具有高能量多段直线加速单元(14)的高能量离子注入装置(100)。
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公开(公告)号：CN104253010B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410168751.4
申请日：2014-04-24
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构测定两个方向的射束角度的离子束测定装置及离子束测定方法。离子束测定装置(100)具备：掩模(102)，用于将原始的离子束(B)整形为具备在与离子束行进方向垂直的y方向较长的y射束部分及在与所述行进方向及y方向垂直的x方向较长的x射束部分的测定用离子束(Bm)；检测部(104)，构成为检测y射束部分的x方向位置，并检测x射束部分的y方向位置；及射束角度运算部(108)，构成为利用x方向位置运算x方向射束角度，并利用y方向位置运算y方向射束角度。
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公开(公告)号：CN104183446B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410171523.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备：高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进行方向转换；及射束传输线单元(18)，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元(18)具有射束整形器(32)、高能量用射束扫描器(34)、高能量用电场式射束平行化器(36)及电场式最终能量过滤器(38)。
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公开(公告)号：CN103854942B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310498939.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/10
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，确保相对于离子注入装置的作业性且抑制设置面积。本发明的离子注入装置具备对由离子源生成的离子束进行加速的多个单元、及对扫描束进行调整而注入到晶片中的多个单元，该离子注入装置通过将对扫描束进行调整的多个单元的长度构成为与对离子源及离子束进行加速的多个单元大致相同的长度的长直线部，构成具有相对置的长直线部的水平U字状的折回型射束线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183446A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410171523.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备：高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进行方向转换；及射束传输线单元(18)，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元(18)具有射束整形器(32)、高能量用射束扫描器(34)、高能量用电场式射束平行化器(36)及电场式最终能量过滤器(38)。
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公开(公告)号：CN104183447B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201410172111.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
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公开(公告)号：CN104658843A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410675978.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/09
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/08 , H01J2237/24535 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701 , H01J37/09 , H01J37/21
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法，其课题在于例如在高能量离子注入装置中调整注入射束电流。本发明的用于离子注入装置的射束电流调整装置(300)具备配置于离子束的会聚点(P)或其附近的可变孔隙(302)。可变孔隙(302)构成为，调整会聚点(P)的与离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。可变孔隙(302)可以配置于紧接质量分析狭缝(22b)的后方。射束电流调整装置(300)也可以设置于具有高能量多段直线加速单元(14)的高能量离子注入装置(100)。
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公开(公告)号：CN104253010A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410168751.4
申请日：2014-04-24
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构测定两个方向的射束角度的离子束测定装置及离子束测定方法。离子束测定装置(100)具备：掩模(102)，用于将原始的离子束(B)整形为具备在与离子束行进方向垂直的y方向较长的y射束部分及在与所述行进方向及y方向垂直的x方向较长的x射束部分的测定用离子束(Bm)；检测部(104)，构成为检测y射束部分的x方向位置，并检测x射束部分的y方向位置；及射束角度运算部(108)，构成为利用x方向位置运算x方向射束角度，并利用y方向位置运算y方向射束角度。
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公开(公告)号：CN103854942A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310498939.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/10
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，确保相对于离子注入装置的作业性且抑制设置面积。本发明的离子注入装置具备对由离子源生成的离子束进行加速的多个单元、及对扫描束进行调整而注入到晶片中的多个单元，该离子注入装置通过将对扫描束进行调整的多个单元的长度构成为与对离子源及离子束进行加速的多个单元大致相同的长度的长直线部，构成具有相对置的长直线部的水平U字状的折回型射束线。
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