公开(公告)号：CN103569948B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310319903.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

Inventor： R·K·科特兰卡 ,  R·库马尔 ,  P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 ,  H·林 ,  P·耶勒汉卡

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0115 ,  H01L21/50 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。

公开(公告)号：CN103569948A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310319903.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

Inventor： R·K·科特兰卡 ,  R·库马尔 ,  P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 ,  H·林 ,  P·耶勒汉卡

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0115 ,  H01L21/50 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。

公开(公告)号：CN109775652A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811189719.9

申请日：2018-10-12

Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

Inventor： S·查克拉瓦蒂 ,  P·耶勒汉卡 ,  S·P·波伊卡伊尔萨特厄希 ,  易俊豪 ,  R·库马尔 ,  N·拉查塞卡赖

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及用于MEMS装置的晶圆级封装，揭示微机电系统(MEMS)装置。该MEMS装置包括：具有顶部装置表面及底部装置表面的装置衬底，其具有位于装置区中的MEMS组件。在围绕该装置区的该顶部装置表面上设置顶部装置接合环，且在围绕该装置区的该底部装置表面上设置底部装置接合环。具有顶部覆盖接合环的顶部覆盖层通过顶部共晶接合与该顶部装置接合环接合，且具有底部覆盖接合环的底部覆盖层通过底部共晶接合与该底部装置接合环接合。该共晶接合包覆该MEMS装置。