公开(公告)号：CN105473756B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN109890608A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780065919.0

申请日：2017-10-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 西尾创 ,  待永广宣 ,  陈晓雷 ,  鹤泽俊浩 ,  黑瀬爱美

IPC: B32B9/00 ,  B32B3/14

Abstract: 本发明目的在于提供一种电磁波透过性金属光泽部件，其不仅在使用铬(Cr)或铟(In)的场合，在使用例如铝(Al)等其他金属作为金属层的情况下，也能够容易制造。另外，本发明的目的还在于提供一种电磁波透过性金属光泽部件，除铝(Al)以外，其还能够将银(Ag)、锌(Zn)、铅(Pb)、铜(Cu)或它们合金作为金属层。电磁波透过性金属光泽部件具备沿着基体面设置的含氧化铟层和层叠于含氧化铟层的金属层，金属层包含在至少局部处于相互不连续的状态的多个部分。

公开(公告)号：CN105473756A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。