公开(公告)号：CN1256961A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99122900.2

申请日：1999-12-09

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 晖末八 ,  宫野安定 ,  秋田昇 ,  大塚健二 ,  岛田孝

IPC: B01D53/58

CPC classification number: B01D53/8634 ,  Y02A50/2346

Abstract: 公开一种净化含氨废气的工艺,该工艺包括如下步骤:使废气与加热的氨分解催化剂(如镍、钌)接触,以使大部分氨分解成氮气和氢气;随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂(例如合成氟石)接触,以吸收未分解的氨;然后加热再生该吸附剂,同时使含有吸附剂解吸氨的再生废气与该加热的氨分解催化剂或另一个氨分解催化剂接触;还公开一种实现上述工艺的装置。采用上述工艺和装置可以有效地和完全地净化半导体制造等工艺中排出的净化废气,而不产生无用的副产品,并可以省去次级处理。

公开(公告)号：CN1133484C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN99122900.2

申请日：1999-12-09

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 晖末八 ,  宫野安定 ,  秋田昇 ,  大塚健二 ,  岛田孝

IPC: B01D53/58

CPC classification number: B01D53/8634 ,  Y02A50/2346

Abstract: 公开一种净化含氨废气的工艺，该工艺包括如下步骤：使废气与加热的氨分解催化剂(如镍、钌)接触，以使大部分氨分解成氮气和氢气；随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂(例如合成氟石)接触，以吸收未分解的氨；然后加热再生该吸附剂，同时使含有吸附剂解吸氨的再生废气与该加热的氨分解催化剂或另一个氨分解催化剂接触；还公开一种实现上述工艺的装置。采用上述工艺和装置可以有效地和完全地净化半导体制造等工艺中排出的净化废气，而不产生无用的副产品，并可以省去次级处理。

公开(公告)号：CN1341473A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01125837.3

申请日：2001-08-29

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 大塚健二 ,  岛田孝 ,  池田友久 ,  铃木规广

IPC: B01D45/02 ,  B01D53/82

CPC classification number: B01D50/002 ,  B01D46/10 ,  B01D46/30 ,  B01D53/70

Abstract: 用干法净化气体的净化柱包括水平板和直立管,前者装在净化剂床上面的位置,位于气体入口的下面,后者穿过水平板的中心,用于将有害气体从气体入口引导到水平板的下面,净化柱的内壁表面、水平板的上表面和直立管的外壁表面形成构成粉末物质收集器的空间。因此提供了一种净化装置,该装置有利于净化从例如半导体制造工艺中放出的包含粉末物质的有害气体,不会造成净化设备的堵塞,因而使得装置的净化和维护操作变得更为容易,同时可使净化剂完全发挥其净化能力。

公开(公告)号：CN1357639A

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN01138492.1

申请日：2001-11-14

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 大塚健二 ,  岛田孝 ,  大杉实 ,  川口敬

IPC: C22B3/06 ,  B01J20/34 ,  B01D53/96 ,  C22B15/00

CPC classification number: C22B3/44 ,  B01J23/92 ,  B01J23/94 ,  B01J38/60 ,  B01J38/68 ,  C22B7/009 ,  C22B15/00 ,  Y02P10/214 ,  Y02P10/234

Abstract: 本发明提供了从包含氧化铜的、或包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜和氧化锰的、已用于与有害气体相接触脱除有害气体中膦有害成分的净化剂中回收铜成分或锰成分的方法。本发明也提供了从包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜和氧化锰的、已用于与有害气体相接触脱除有害气体中硅烷有害成分的净化剂中回收铜成分或锰成分的方法。根据本发明,可从净化剂中有效地回收能重复使用的铜成分和/或锰成分。