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公开(公告)号：CN1133484C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN99122900.2
申请日：1999-12-09
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/58
CPC classification number: B01D53/8634 , Y02A50/2346
Abstract: 公开一种净化含氨废气的工艺，该工艺包括如下步骤：使废气与加热的氨分解催化剂(如镍、钌)接触，以使大部分氨分解成氮气和氢气；随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂(例如合成氟石)接触，以吸收未分解的氨；然后加热再生该吸附剂，同时使含有吸附剂解吸氨的再生废气与该加热的氨分解催化剂或另一个氨分解催化剂接触；还公开一种实现上述工艺的装置。采用上述工艺和装置可以有效地和完全地净化半导体制造等工艺中排出的净化废气，而不产生无用的副产品，并可以省去次级处理。
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公开(公告)号：CN1341473A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN01125837.3
申请日：2001-08-29
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D50/002 , B01D46/10 , B01D46/30 , B01D53/70
Abstract: 用干法净化气体的净化柱包括水平板和直立管,前者装在净化剂床上面的位置,位于气体入口的下面,后者穿过水平板的中心,用于将有害气体从气体入口引导到水平板的下面,净化柱的内壁表面、水平板的上表面和直立管的外壁表面形成构成粉末物质收集器的空间。因此提供了一种净化装置,该装置有利于净化从例如半导体制造工艺中放出的包含粉末物质的有害气体,不会造成净化设备的堵塞,因而使得装置的净化和维护操作变得更为容易,同时可使净化剂完全发挥其净化能力。
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公开(公告)号：CN1213794C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN00137230.0
申请日：2000-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/86
CPC classification number: B01D53/8668 , B01D2251/102
Abstract: 公开了一种有害气体的净化方法，该方法包括：将从使用有机金属化合物作反应原料的反应过程中排出的有害气体，与氧气或空气混合，然后在100℃-800℃的温度下，使混合物与通过在一种无机载体上附载一种贵金属得到的催化剂；含选自氧化钒、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化银、氧化钴和氧化镍的至少一种金属氧化物的催化剂；或者在一种无机载体上附载该金属氧化物得到的催化剂接触，以净化该有害气体。同时，公开了一种该方法使用的装置。本发明能够确保以有效的方式净化有害气体，在将有害气体净化后，没有排出有机化合物和大量的二氧化碳，不需要后处理。
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公开(公告)号：CN1103240C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN98108740.X
申请日：1998-04-24
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/68
CPC classification number: B01D53/8659
Abstract: 本发明公开一种净化有害气体的方法，它包括使含氟化氮，氟化钨，氟化硅，氟化氢和氟中的至少一种成分，特别是三氟化氮的有害气体，在最低为200℃的温度下与含氧化亚锡作为有效成分的净化剂接触。上述方法能够在较高性能和较低的温度下净化有害气体而又不产生有害气体或可能引起环境污染的气体副产物。
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公开(公告)号：CN1335259A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN01124353.8
申请日：2001-07-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: C23C16/4402 , C01C1/024 , Y02P20/52
Abstract: 本发明公开了一种纯化氨的方法,包括,将粗氨接触一种包含氧化锰作为有效成分的催化剂以去除作为杂质包含在氨中的氧气和/或二氧化碳;以及一种纯化氨的方法,包括,将粗氨接触一种包含氧化锰作为有效成分的催化剂,并随后接触一种孔径为4－10埃的合成沸石,以去除至少一种选自包含在所述粗氨中的氧气、二氧化碳和水分的杂质。通过上述方法,可从工业用途的市售粗氨和来自氮化镓化合物半导体的粗氨中去除杂质至极低浓度而不会将氨分解生成氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1266733A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN99124351.X
申请日：1999-12-09
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/58
CPC classification number: B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D53/0462 , B01D2253/102 , B01D2253/104 , B01D2253/108 , B01D2257/406 , B01D2258/0216 , B01D2259/402
Abstract: 回收氨的工艺,包括:安装壳体多管吸附器,该吸附器装有许多吸附管,该吸附管其内部分别充填氨吸附剂(例如合成沸石),并具有热传输介质的流动机构,以便通过吸附管进行热交换;使含氨气体流过吸附管,同时用热传输介质冷却吸附剂,以吸附氨;随后通过解吸作用收集吸附的氨,同时用热传输介质在减压条件下加热吸附剂;用于上述工艺的装置。该工艺和装置可以回收具有高纯度的大量氨,在需要时可以以连续方式回收。
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公开(公告)号：CN1316290A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN00137230.0
申请日：2000-11-30
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/86
CPC classification number: B01D53/8668 , B01D2251/102
Abstract: 公开了一种有害气体的净化方法，该方法包括：将从使用有机金属化合物作反应原料的反应过程中排出的有害气体，与氧气或空气混合，然后在100℃－800℃的温度下，使混合物与通过在一种无机载体上附载一种贵金属得到的催化剂；含选自氧化钒、氧化铬、氧化锰、氧化铁、氧化铜、氧化银、氧化钴和氧化镍的至少一种金属氧化物的催化剂；或者在一种无机载体上附载该金属氧化物得到的催化剂接触，以净化该有害气体。同时，公开了一种该方法使用的装置。本发明能够确保以有效的方式净化有害气体，在将有害气体净化后，没有排出有机化合物和大量的二氧化碳，不需要后处理。
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公开(公告)号：CN1295875A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00133741.6
申请日：2000-10-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/72
CPC classification number: B01J20/28057 , B01D53/02 , B01D53/46 , B01D2257/706 , B01J20/0237 , B01J20/06 , C23C16/4412
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法:Rm－M－Hn其中R为烷基,M为As、P、S、Se或Te,且m和n分别为正整数,满足等式:m+n=M的化合价。该清洗剂包含氧化铜(Ⅱ)或氧化铜(Ⅱ)与二氧化锰的混合物作为有效组分。氧化铜(Ⅱ)的BET比表面积为10米2/克或更高,这明显大于常用作已知清洗剂中有效组分的氧化铜(Ⅱ)。
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公开(公告)号：CN1256961A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99122900.2
申请日：1999-12-09
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/58
CPC classification number: B01D53/8634 , Y02A50/2346
Abstract: 公开一种净化含氨废气的工艺,该工艺包括如下步骤:使废气与加热的氨分解催化剂(如镍、钌)接触,以使大部分氨分解成氮气和氢气;随后使如此得到的混合气体与氨吸附剂(例如合成氟石)接触,以吸收未分解的氨;然后加热再生该吸附剂,同时使含有吸附剂解吸氨的再生废气与该加热的氨分解催化剂或另一个氨分解催化剂接触;还公开一种实现上述工艺的装置。采用上述工艺和装置可以有效地和完全地净化半导体制造等工艺中排出的净化废气,而不产生无用的副产品,并可以省去次级处理。
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公开(公告)号：CN1658950A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813161.7
申请日：2003-05-16
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D53/8646 , B01D53/8625 , B01D53/8628 , B01D53/8668 , B01D2258/0216 , B01J23/26 , B01J23/72
Abstract: 一种废气净化方法，包括以下步骤：加热的同时，将含氮氧化物或有机溶剂的至少一种的废气与含金属作为还原性净化成分并含金属氧化物作为氧化性净化剂成分，或者含低价金属氧化物作为还原性净化剂成分并含高价金属氧化物作为氧化性净化剂成分的净化剂接触，进行还原性净化剂成分还原氮氧化物或者氧化性净化剂成分氧化分解有机溶剂中的至少一种，同时检测还原性净化剂成分和氧化性净化剂成分之间的组成比随氧化－还原反应过程的变化，当组成比例偏离预定的控制范围时提供校正气体，并将组成比恢复到控制范围内。提供了一种由半导体生产过程中排放的所含氮氧化物和/或有机溶剂浓度很高且变化很大的废气的净化方法，能够以相对较低的温度和较高的分解率容易地净化，无需使用大规模净化装置或结构复杂的净化装置。
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