公开(公告)号：CN101189802A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019829.X

申请日：2006-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 滨田康宏 ,  大畑惠一 ,  丸桥建一 ,  森本卓夫 ,  伊东正治 ,  岸本修也

IPC: H04B1/40 ,  H04J1/00 ,  H04L5/14

CPC classification number: H04L5/143 ,  H04B1/50 ,  H04J3/1694 ,  H04L5/0037

Abstract: 本发明使用一个通信设备的剩余频带作为另一通信设备的发射频带，提高了在两个通信设备之间的通信效率，其中每个通信设备使用全双工通信方法进行通信。推测所述通信设备(A)在数据发射时所需的第一带宽，和所述第二通信设备(B)在数据发射时所需的第二带宽。接着，将上述推测的第一带宽与第一通信设备(A)当前使用的第一带宽进行比较，同时，将上述推测的第二带宽与第二通信设备(B)当前使用的第二带宽进行比较。然后调整第一带宽和第二带宽，并确定第一通信设备(A)在数据发射时使用的第三带宽和第二通信设备(B)使用的第四带宽。

公开(公告)号：CN102232248A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200980148357.1

申请日：2009-11-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 森本卓夫

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/146 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/1004

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其中双极晶体管具有高击穿电压成品率并且光接收元件具有高带宽和量子效率。光学半导体器件包括单片集成的晶体管和光接收元件。所述光接收元件包括p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的n型外延层以及形成在所述n型外延层上的n型扩散层。所述n型扩散层在距离所述n型扩散层的表面0.12μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为3×1018cm-3或更小，在距离所述表面0.4μm或更小的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更大，并且在距离所述表面0.8μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更小。所述p型半导体层和所述n型外延层之间的界面位于距离n型扩散层的表面0.9μm至1.5μm深度处。

公开(公告)号：CN102232248B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980148357.1

申请日：2009-11-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 森本卓夫

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/146 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/1004

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其中双极晶体管具有高击穿电压成品率并且光接收元件具有高带宽和量子效率。光学半导体器件包括单片集成的晶体管和光接收元件。所述光接收元件包括p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的n型外延层以及形成在所述n型外延层上的n型扩散层。所述n型扩散层在距离所述n型扩散层的表面0.12μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为3×1018cm-3或更小，在距离所述表面0.4μm或更小的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更大，并且在距离所述表面0.8μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更小。所述p型半导体层和所述n型外延层之间的界面位于距离n型扩散层的表面0.9μm至1.5μm深度处。