铜电解液以及由其制造的电解铜箔

    公开(公告)号:CN1293235C

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN03800555.7

    申请日:2003-05-21

    Abstract: 本发明的目的是在采用阴极鼓制造电解铜箔时,获得粗糙表面侧(光泽表面的相反侧)表面粗糙度小的低断面电解铜箔,特别是获得可进行精细构图,而且在常温和高温下伸长率和抗张强度优异的电解铜箔。该目的通过使用一种铜电解液达到,其包含用以下通式(1)记载的具有特定骨架的胺化合物和有机硫化合物作为添加剂,其中胺化合物是通过使1分子中有1个或其以上环氧基的化合物和胺化合物发生加成反应获得的。(在通式(1)中,R1和R2为从羟烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的一组中选取的基团,A表示环氧化合物残基,n表示1或其以上的整数)。

    无电解镀镍液
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101189362A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200680019377.5

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: C23C18/34 H05K3/244

    Abstract: 本发明的目的是提供一种无电解镀镍液,可在包含多个IC芯片的硅晶片上通过无电解镀镍以均匀的膜厚形成金属凸块或焊料凸块用的底阻挡层金属。本发明的无电解镀镍液,是含有水溶性镍盐、还原剂、配位剂、pH缓冲剂的无电解镀镍液,其中含有0.01~1ppm的铅离子、0.01~1ppm的钴离子以及0.01~1ppm的硫化合物。

    无电解镀镍液
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101189362B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200680019377.5

    申请日:2006-09-26

    CPC classification number: C23C18/34 H05K3/244

    Abstract: 本发明的目的是提供一种无电解镀镍液,可在包含多个IC芯片的硅晶片上通过无电解镀镍以均匀的膜厚形成金属凸块或焊料凸块用的底阻挡层金属。本发明的无电解镀镍液,是含有水溶性镍盐、还原剂、配位剂、pH缓冲剂的无电解镀镍液,其中含有0.01~1ppm的铅离子、0.01~1ppm的钴离子以及0.01~1ppm的硫化合物。

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