公开(公告)号：CN104412369B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380033462.7

申请日：2013-06-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  牧野龙也 ,  祖父江省吾 ,  畠山惠一 ,  松崎隆行

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J179/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J179/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。

公开(公告)号：CN102959688B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180027958.4

申请日：2011-06-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中村祐树 ,  宫原正信 ,  片山阳二 ,  玉置刚士 ,  畠山惠一 ,  池谷卓二

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 半导体装置制造用粘接片1，具备：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接层20、配置于粘接层20上并且具有露出粘接层20的开口30a的粘接层30和配置于粘接层20中从开口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分与粘接层30相接。

公开(公告)号：CN104412369A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380033462.7

申请日：2013-06-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 ,  牧野龙也 ,  祖父江省吾 ,  畠山惠一 ,  松崎隆行

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J179/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J179/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。