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公开(公告)号：CN110620052A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201911081295.9
申请日：2013-06-05
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L25/065 , H05K3/28 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供可谋求生产效率的提高的半导体装置的制造方法。半导体装置(1)的制造方法包含使密封材料(7)固化的工序，在该工序中，施予将半导体元件(3)密封的密封材料(7)，在与半导体元件(3)对置的模具上设置离型膜(F)，并利用上模具(22)和下模具(24)使密封材料(7)固化；在离型膜(F)的与密封材料(7)接触的一侧，预先设置用于将电磁波屏蔽的金属层(9)，在使密封材料(7)固化的工序中，将金属层(9)转印到密封材料(7)上。
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公开(公告)号：CN104520978A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041840.6
申请日：2013-06-05
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L21/566 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K3/284 , H05K2201/0715 , H05K2203/1316 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供可谋求生产效率的提高的半导体装置的制造方法。半导体装置(1)的制造方法包含使密封材料(7)固化的工序，在该工序中，施予将半导体元件(3)密封的密封材料(7)，在与半导体元件(3)对置的模具上设置离型膜(F)，并利用上模具(22)和下模具(24)使密封材料(7)固化；在离型膜(F)的与密封材料(7)接触的一侧，预先设置用于将电磁波屏蔽的金属层(9)，在使密封材料(7)固化的工序中，将金属层(9)转印到密封材料(7)上。
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公开(公告)号：CN103380491A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280007691.7
申请日：2012-02-02
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J5/00 , C09J201/00 , H01L23/02 , H01L27/14
CPC classification number: C09J5/00 , C09J7/35 , C09J2201/28 , C09J2201/61 , C09J2479/086 , H01L21/6835 , H01L2924/10253 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明的粘接物的制造方法，其是第一被粘物与第二被粘物借助粘接剂图案被贴合的粘接物的制造方法，该制造方法包括：在第一被粘物上设置粘接剂层的工序；在粘接剂层的同与第一被粘物接触的面相反的一侧的面上设置保护粘接剂层的规定部分免受蚀刻影响的保护层，并在该状态下，通过对粘接剂层进行蚀刻而形成粘接剂图案的工序；以及使第二被粘物贴合于除去保护层后的粘接剂图案的工序。
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公开(公告)号：CN102290334B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110153300.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L27/146
CPC classification number: H01L23/488 , C09J179/08 , G03F7/037 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , Y10T156/1002 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法，其包括：粘接剂层形成工序：通过把粘接薄膜贴附在半导体晶圆上，在所述半导体晶圆上形成粘接剂层；粘接剂图案形成工序：通过对该粘接剂层进行曝光和显影处理，形成粘接剂图案；粘接工序：隔着所述粘接剂图案将被粘接物粘接在所述半导体晶圆上。该半导体装置的制造方法可以用在较低温度下进行半导体装置的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102131882B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980132606.8
申请日：2009-08-26
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J4/02 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J163/00 , C09J179/08 , C09J201/06 , H01L21/52
CPC classification number: C09J4/00 , C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/106 , C08G73/1082 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/02 , C08L2666/20 , C08L2666/22 , C09J4/06 , C09J163/00 , C09J179/08 , G03F7/038 , G03F7/70383 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83856 , H01L2224/92247 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/24355 , Y10T428/287 , Y10T428/31518 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及可以通过在被粘接物上形成粘接剂层并利用放射线施加曝光处理及利用显影液施加显影处理而形成粘接剂图案的感光性粘接剂组合物，上述感光性粘接剂组合物具有溶解显影性，并且显影后形成的上述粘接剂图案的膜厚T1(μm)满足下述式(1)所示的条件。(T1/T0)×100≥90...(1)[式(1)中，T0表示显影处理前的粘接剂层的膜厚(μm)。]
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公开(公告)号：CN110650992A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033283.6
申请日：2018-05-16
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明为具有下述通式(I)所示的结构单元的硅化合物。通式(I)中，m表示1～30的整数，n表示使得重均分子量为5,000～1,000,000的数字，R1～R4各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，R5及R6各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，R7～R10各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，n个结构单元中，m、R1～R10的组合可以全部相同，也可以一部分或全部不同。
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公开(公告)号：CN104412369A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033462.7
申请日：2013-06-26
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J179/08 , H01L21/301 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J179/08 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L25/0657 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。
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公开(公告)号：CN101884104B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200880119113.6
申请日：2008-12-02
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L25/065 , C09J4/00 , C09J179/08 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: C09J4/00 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08L71/02 , C08L79/08 , C08L2666/20 , C08L2666/22 , C09J171/02 , C09J179/08 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/05554 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的感光性粘接剂，其是通过曝光及显影来形成图案后对于被粘接物具有粘接性、可以碱显影的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体装置100的制造方法，所述工序是：通过曝光及显影将设置于半导体芯片20的电路面上的感光性粘接剂1形成图案的工序，和将其他的半导体芯片21与形成图案后的所述感光性粘接剂1直接粘接的工序。
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