R-T-B系烧结磁体的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113451032A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110319000.8

    申请日:2021-03-25

    Abstract: R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备含有33~69质量%R1、0.2~0.8质量%B、0.8~3.0质量%Cu、1.8~10质量%Ga、15~60质量%T的添加合金粉末的工序;准备含有28.5~33.0质量%R、0.80~1.0质量%B、0.1~0.4质量%Ga、64~70质量%T的主合金粉末的工序;准备混合合金粉末的工序;向粉碎室充满不活泼气体的喷射磨装置供给混合合金粉末进行粉碎得到微粉末的工序;制作微粉末烧结体的工序。添加合金粉末的Pr含量大于主合金粉末的Pr含量,不活泼气体经加湿,烧结磁体中氧含量为1000ppm以上3000ppm以下,满足[T]/55.85>14×[B]/10.8。

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