R-T-B系烧结磁体的制造方法

    公开(公告)号:CN111755189A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010211423.3

    申请日:2020-03-24

    Inventor: 藤森信彦

    Abstract: 本发明提供一种几乎不使用RH(具体使RH含量在0.5质量%以下)的用于制造具有高HcJ和高Hk/HcJ的R-T-B系烧结磁体的方法。解决手段为一种含有R:29.3质量%以上35.0质量%以下、B:0.80质量%以上0.91质量%以下、Ga:0.2质量%以上1.0质量%以下和T:61.5质量%以上69.5质量%以下且满足式(1):[T]/55.85>14[B]/10.8的R-T-B系烧结磁体的制造方法,该方法包括:准备合金粉末的工序;成型工序;烧结工序;和热处理工序。

    R-T-B系烧结磁体的制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113451032A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110319000.8

    申请日:2021-03-25

    Abstract: R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:准备含有33~69质量%R1、0.2~0.8质量%B、0.8~3.0质量%Cu、1.8~10质量%Ga、15~60质量%T的添加合金粉末的工序;准备含有28.5~33.0质量%R、0.80~1.0质量%B、0.1~0.4质量%Ga、64~70质量%T的主合金粉末的工序;准备混合合金粉末的工序;向粉碎室充满不活泼气体的喷射磨装置供给混合合金粉末进行粉碎得到微粉末的工序;制作微粉末烧结体的工序。添加合金粉末的Pr含量大于主合金粉末的Pr含量,不活泼气体经加湿,烧结磁体中氧含量为1000ppm以上3000ppm以下,满足[T]/55.85>14×[B]/10.8。

    矩形比提高的R-T-B系稀土烧结磁体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1261717A

    公开(公告)日:2000-08-02

    申请号:CN99127732.5

    申请日:1999-11-25

    CPC classification number: H01F1/0573 H01F1/0577

    Abstract: 以R2T14B型金属间化合物为主相的、矩形比高的R-T-B系稀土烧结磁体,按下所述还原扩散法制备:(a)将稀土元素R的氧化物粉末、含T粉末(T是Fe或者Fe和Co)、含B粉末、以及Ca等还原剂混合,(b)将所得混合物在非氧化性气氛中加热至900—1350℃,(c)进行清洗以除去反应副产物,(d)将所得的R-T-B系稀土合金粉末在1乇以下的真空中加热至900—1200℃,进行脱Ca热处理。然后将所得的合金块状物粉碎、成形、真空烧结、热处理及表面处理。块状物最好是在除去表面层后进行粉碎。

    R-T-B系烧结磁体的制造方法

    公开(公告)号:CN110299235A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910211946.5

    申请日:2019-03-20

    Inventor: 藤森信彦

    Abstract: 本发明制造一种降低RH的含量且具有高HcJ和高Hk的R-T-B系烧结磁体。一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其为具有规定组成的R-T-B系烧结磁体的制造方法,其包括:准备合金粉末的工序;得到成形体的成形工序;将所述成形体以处于1010℃~1030℃的范围内的第一烧结温度、处于12小时~36小时的范围内的第一烧结时间进行加热,得到第一烧结体的第一烧结工序;将所述第一烧结体以处于990℃~1020℃的范围内且比所述第一烧结温度低10℃以上的第二烧结温度、处于17小时~41小时的范围且比所述第一烧结时间长5小时以上的第二烧结时间进行加热,从而得到第二烧结体的第二烧结工序;以及,将所述第二烧结体以处于400℃~800℃的范围内的热处理温度进行加热的热处理工序。

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