公开(公告)号：CN111954725A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980016848.4

申请日：2019-04-25

Applicant: 日立金属株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 福泽范英 ,  坂巻功一 ,  中野洋佑 ,  福元志保 ,  齐藤和也 ,  桑原孝介

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/22 ,  C22C38/24 ,  C22C38/20 ,  C22C38/06 ,  C22C38/44 ,  C22C38/46 ,  C22C38/42 ,  C22C38/52 ,  C22C38/48 ,  C22C38/30 ,  C22C38/26 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C22C38/60

Abstract: 本发明提供了一种增材层热制造的热作模具，其具有含有按质量％计的组成：C：0.3‑0.5％，Si：2.0％以下，Mn：1.5％以下，P：0.05％以下，S：0.05％以下，Cr：3.0‑6.0％，由关系式(Mo+1/2W)来表示Mo和W之间关系的、Mo和W的1种或2种化合物：0.5‑3.5％，V：0.1‑1.5％，Ni：0‑1.0％，Co：0‑1.0％，Nb：0‑0.3％，以及包括Fe和杂质的其余部分，其中，在平行于层压方向的截面中，具有至少1μm2面积的缺陷的面积比为0.6％以下。还提供了一种制造增材层制造的热作模具的方法，其中将具有上述组成的金属粉末逐层沉积，然后执行退火。还提供了一种具有上述组成的金属粉末。

公开(公告)号：CN106868459A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611127906.5

申请日：2016-12-09

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 玉田悠 ,  齐藤和也 ,  上坂修治郎 ,  熊谷友正

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。

公开(公告)号：CN104508173B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201380039352.1

申请日：2013-07-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 坂卷功一 ,  福冈淳 ,  畠知之 ,  齐藤和也

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C19/07 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/851 ,  B22F3/14 ,  B22F5/00 ,  C22C33/0278 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/667 ,  G11B5/8404 ,  H01J37/3429 ,  H01J2237/332

Abstract: 本发明提供一种靶材，其中，原子比的组成式表示为(FeX‑Co100‑X)100‑Y‑MY(M表示选自Ta和Nb中的至少一种元素，X、Y分别满足0≤X≤80、10≤Y≤30)，包含由不可避免的杂质构成的余量，并且300℃下的断裂弯曲应变为0.33％以上。

公开(公告)号：CN104145043B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201380011999.3

申请日：2013-05-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  齐藤和也 ,  坂卷功一 ,  畠知之

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  G11B5/667 ,  G11B5/851 ,  B22F9/04 ,  B22F9/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 本发明提供原子比的组成式表示为(Fea-Co100-a)100-b-c-d-Tab-Nbc-Md(0＜a≤80、0≤b≤10、0≤c≤15、5≤b+c≤15、2≤d≤20、15≤b+c+d≤25，M表示选自由Mo、Cr和W组成的组中的一种以上的元素)，包含由不可避免的杂质组成的余量，并且300℃下的断裂弯曲应变εfB为0.4％以上的Fe-Co系合金溅射靶材。

公开(公告)号：CN103140600B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180047007.3

申请日：2011-09-14

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 齐藤和也 ,  畠知之 ,  上滩真史 ,  高岛洋

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/22

CPC classification number: C23C14/14 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/20 ,  B22F9/04

Abstract: 提供可以活用各钼(Mo)原料粉末的特征并且能够高效地得到低氧且高密度的钼靶的制造方法。本发明是一种钼靶的制造方法，其将混合钼粉末A以及钼粉末B而成的混合粉加压烧结，该钼粉末A为还原氧化钼后接着进行破碎而将平均粒径调整为2～15μm的钼粉末，该钼粉末B为以密度6.64×10(kg/m3)以上的钼块状体作为原料，通过粉碎将平均粒径调整为50～2000μm的钼粉末。

公开(公告)号：CN102756126A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210128871.2

申请日：2012-04-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 上滩真史 ,  齐藤和也

IPC: B22F3/14 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明涉及MoCr靶材的制造方法及MoCr靶材。本发明的目的是提供简单且低成本地、通过不进一步添加第三元素的方法来制造低氧的MoCr靶材的方法以及MoCr靶材。将Mo烧结体粉碎成平均粒径为20～500μm而制成Mo粉末后，在还原性气氛中进行热处理而制成还原处理Mo粉末，将其与Cr原料粉末混合，进行加压烧结。

公开(公告)号：CN109207941B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201810723639.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  青木大辅 ,  齐藤和也 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14

Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。

公开(公告)号：CN106868459B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201611127906.5

申请日：2016-12-09

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 玉田悠 ,  齐藤和也 ,  上坂修治郎 ,  熊谷友正

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。

公开(公告)号：CN109207941A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810723639.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  青木大辅 ,  齐藤和也 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14

Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。

公开(公告)号：CN106435492A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610653744.2

申请日：2016-08-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 玉田悠 ,  齐藤和也 ,  上坂修治郎 ,  熊谷友正

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶材，其能够抑制由氧化物溅射靶材的焊接作业工序、溅射工序中的热处理导致的裂纹的产生。一种氧化物溅射靶材，其金属成分具有如下组成：含有20～50原子％的Sn、余量由Zn和不可避免的杂质组成，22℃～400℃下的断裂弯曲应变为0.24％以上、或200℃下的抗弯强度为130MPa以上，相对密度的平均值优选为98.5％以上，其离散度更优选为0.3％以下。