公开(公告)号：CN111593400B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202010103889.1

申请日：2020-02-20

Applicant: 松下控股株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 冈山芳央 ,  小松真介 ,  多田昌浩 ,  森勇介 ,  今西正幸 ,  吉村政志

IPC: C30B15/22 ,  C30B15/36 ,  C30B28/10 ,  C30B29/38 ,  C30B25/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。

公开(公告)号：CN118975073A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094007.7

申请日：2022-11-24

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 泷谦司 ,  多田昌浩 ,  大野启 ,  菱田光起 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/0222 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：射出激光的至少1个激光元件；在内部收纳所述至少1个激光元件的收纳部；从所述收纳部的外部供给气体的气体供给部；和将所述收纳部的内部的气体排气到所述收纳部的外部的气体排气部，所述气体供给部具有从铅垂方向下侧向所述至少1个激光元件的周围当中的激光射出侧的空间供给气体的至少1个第1吸气口，所述气体排气部具有配置于在铅垂方向上与所述至少1个第1吸气口对置的位置的至少1个第1排气口。

公开(公告)号：CN111575796B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202010094897.4

申请日：2020-02-14

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  松下控股株式会社

Inventor： 森勇介 ,  今西正幸 ,  吉村政志 ,  村上航介 ,  小松真介 ,  多田昌浩 ,  冈山芳央

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。