公开(公告)号：CN110050330B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201880004481.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  上田章雄 ,  大野启

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种高品质的III族氮化物半导体。该III族氮化物半导体具备：包含AlxGa1‑xN(0≤x＜1)的n‑GaN层；配置于所述n‑GaN层上且包含InGaN的InGaN层；配置于所述InGaN层上且包含n型的AlyGa1‑yN(0≤y＜1)的n‑AlGaN层；以及配置于所述n‑AlGaN层上的功能层，所述n‑GaN层的Mg浓度比所述n‑AlGaN层的Mg浓度大。

公开(公告)号：CN118975073A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094007.7

申请日：2022-11-24

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 泷谦司 ,  多田昌浩 ,  大野启 ,  菱田光起 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/0222 ,  H01S5/02253 ,  H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：射出激光的至少1个激光元件；在内部收纳所述至少1个激光元件的收纳部；从所述收纳部的外部供给气体的气体供给部；和将所述收纳部的内部的气体排气到所述收纳部的外部的气体排气部，所述气体供给部具有从铅垂方向下侧向所述至少1个激光元件的周围当中的激光射出侧的空间供给气体的至少1个第1吸气口，所述气体排气部具有配置于在铅垂方向上与所述至少1个第1吸气口对置的位置的至少1个第1排气口。

公开(公告)号：CN110707194B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201910597139.1

申请日：2019-07-03

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 大野启 ,  山下贤哉 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素)构成的RAMO4层；以及层叠于所述RAMO4层的层叠体。所述层叠体至少包括包含III族氮化物半导体的发光层，所述RAMO4层中，相较于与所述层叠体之间的边界面，所述层叠体的相反侧的面的平坦度更低。