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发明公开
半导体激光装置审中-公开

公开(公告)号：CN118975073A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094007.7

申请日：2022-11-24

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 泷谦司 , 多田昌浩 , 大野启 , 菱田光起 , 石桥明彦

IPC: H01S5/0222 , H01S5/02253 , H01S5/40

Abstract: 半导体激光装置具备：射出激光的至少1个激光元件；在内部收纳所述至少1个激光元件的收纳部；从所述收纳部的外部供给气体的气体供给部；和将所述收纳部的内部的气体排气到所述收纳部的外部的气体排气部，所述气体供给部具有从铅垂方向下侧向所述至少1个激光元件的周围当中的激光射出侧的空间供给气体的至少1个第1吸气口，所述气体排气部具有配置于在铅垂方向上与所述至少1个第1吸气口对置的位置的至少1个第1排气口。

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