公开(公告)号：CN1138180C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN98109481.3

申请日：1998-04-08

Applicant: 柯尼卡株式会社

Inventor： 高田宏 ,  石川贞康 ,  伊藤聪

IPC: G03C1/015 ,  G03C1/005

CPC classification number: G03C1/015 ,  G03C1/0051

Abstract: 本发明公开了一种制备卤化银乳剂的装置，其中该装置的工艺条件是，在从卤化银颗粒开始生长到生长结束的整个期间内，任意控制在卤化银乳剂中的卤化银颗粒生长过程中的平均颗粒间距，使其维持在如下所限定的：平均颗粒间距＝(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。

公开(公告)号：CN1198542A

公开(公告)日：1998-11-11

申请号：CN98109481.3

申请日：1998-04-08

Applicant: 柯尼卡株式会社

Inventor： 高田宏 ,  石川贞康 ,  伊藤聪

IPC: G03C1/005

CPC classification number: G03C1/015 ,  G03C1/0051

Abstract: 本发明公开了一种制备卤化银乳剂的装置,其中该装置的工艺条件是,在从卤化银颗粒开始生长到生长结束的整个期间内,任意控制在卤化银乳剂中的卤化银颗粒生长过程中的平均颗粒间距,使其维持在如下所限定的:平均颗粒间距=(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。