制备卤化银乳剂的装置和方法

    公开(公告)号:CN1198542A

    公开(公告)日:1998-11-11

    申请号:CN98109481.3

    申请日:1998-04-08

    CPC classification number: G03C1/015 G03C1/0051

    Abstract: 本发明公开了一种制备卤化银乳剂的装置,其中该装置的工艺条件是,在从卤化银颗粒开始生长到生长结束的整个期间内,任意控制在卤化银乳剂中的卤化银颗粒生长过程中的平均颗粒间距,使其维持在如下所限定的:平均颗粒间距=(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。

    制备卤化银乳剂的装置和方法

    公开(公告)号:CN1138180C

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:CN98109481.3

    申请日:1998-04-08

    CPC classification number: G03C1/015 G03C1/0051

    Abstract: 本发明公开了一种制备卤化银乳剂的装置,其中该装置的工艺条件是,在从卤化银颗粒开始生长到生长结束的整个期间内,任意控制在卤化银乳剂中的卤化银颗粒生长过程中的平均颗粒间距,使其维持在如下所限定的:平均颗粒间距=(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。

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