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公开(公告)号:CN1467302A
公开(公告)日:2004-01-14
申请号:CN03107624.6
申请日:2003-03-21
Applicant: 柯尼卡株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C8/36 , H05H1/46 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/453 , C23C16/505 , H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2001/485 , H05H2240/10
Abstract: 本发明公开了一种层形成方法,包括将气体供给至放电空间,通过施加高频电场穿过放电空间而在大气压或在约大气压下激发供给的气体,和将基材暴露于激发气体,其中高频电场是其中第一高频电场和第二高频电场重叠的电场,第二高频电场的频率ω2高于第一高频电场的频率ω1,第一高频电场的强度V1,第二高频电场的强度V2和放电开始电场的强度IV满足关系V1≥IV>V2或V1>IV≥V2,和第二高频电场的功率密度不低于1W/cm2。
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公开(公告)号:CN100354453C
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN03107624.6
申请日:2003-03-21
Applicant: 柯尼卡株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C8/36 , H05H1/46 , H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/453 , C23C16/505 , H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2001/485 , H05H2240/10
Abstract: 本发明公开了一种层形成方法,包括将气体供给至放电空间,通过施加高频电场穿过放电空间而在大气压或在约大气压下激发供给的气体,和将基材暴露于激发气体,其中高频电场是其中第一高频电场和第二高频电场重叠的电场,第二高频电场的频率ω2高于第一高频电场的频率ω1,第一高频电场的强度V1,第二高频电场的强度V2和放电开始电场的强度IV满足关系V1≥IV>V2或V1>IV≥V2,和第二高频电场的功率密度不低于1W/cm2。
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公开(公告)号:CN1398305A
公开(公告)日:2003-02-19
申请号:CN01804728.9
申请日:2001-12-06
Applicant: 柯尼卡株式会社
IPC: C23C16/505 , G02B1/10
CPC classification number: G02B1/11 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C16/402 , C23C16/405 , C23C16/509 , C23C16/5093 , C23C16/545 , G02B1/10 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B1/18 , H01J37/32532
Abstract: 一种薄膜形成方法,其特征在于:通过在大气压或大气压附近的压力下,在对置的两种电极之间,以超过10kHz的高频电压供给1W/cm2以上的电力而放电,使反应性气体成为等离子态,通过在上述等离子态的反应性气体中暴露衬底,在上述衬底上形成薄膜。
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