公开(公告)号：CN1707772A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510074824.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森田敏行 ,  丰田启 ,  松井嘉孝 ,  池谷文敏 ,  坂田敦子 ,  坚田富夫 ,  尾本诚一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。

公开(公告)号：CN1187481C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN100422389C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN100477200C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610162720.3

申请日：2006-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森田敏行 ,  西冈岳

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有：半导体衬底；第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底之上；第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜之上；布线，设置在所述第一绝缘膜中并具有插塞连接部分；插塞，设置在所述第二绝缘膜中并连接到所述插塞连接部分；多个第一虚布线，设置在所述第一绝缘膜中的所述插塞连接部分附近的第一区域中；多个第二虚布线，设置在所述第一绝缘膜中除了所述插塞连接部分之外的所述布线附近的第二区域中，且至少其宽度小于所述第一虚布线的宽度或者其图形覆盖率大于所述第一虚布线的图形覆盖率。

公开(公告)号：CN1953171A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610162720.3

申请日：2006-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森田敏行 ,  西冈岳

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有：半导体衬底；第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底之上；第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜之上；布线，设置在所述第一绝缘膜中并具有插塞连接部分；插塞，设置在所述第二绝缘膜中并连接到所述插塞连接部分；多个第一虚布线，设置在所述第一绝缘膜中的所述插塞连接部分附近的第一区域中；多个第二虚布线，设置在所述第一绝缘膜中除了所述插塞连接部分之外的所述布线附近的第二区域中，且至少其宽度小于所述第一虚布线的宽度或者其图形覆盖率大于所述第一虚布线的图形覆盖率。

公开(公告)号：CN100372098C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510074824.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 森田敏行 ,  丰田启 ,  松井嘉孝 ,  池谷文敏 ,  坂田敦子 ,  坚田富夫 ,  尾本诚一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。

公开(公告)号：CN1624207A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1341166A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。