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公开(公告)号：CN1512515A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310119684.9
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G21F9/28 , G21Y2002/201 , G21Y2002/202 , G21Y2002/601 , G21Y2004/40 , Y10S422/903
Abstract: 本发明披露了一种化学净化放射性材料的方法。所述方法包括：使放射性物质的表面与包含一元羧酸和二元羧酸作为溶剂的还原净化液接触的还原－溶解步骤；和使放射性物质的表面和包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化－溶解步骤。该方法可以包括重复的步骤对，每一对步骤包括还原－溶解步骤和氧化－溶解步骤。一元羧酸包括甲酸，而二元羧酸包括草酸。氧化剂可以是臭氧、高锰酸或高锰酸盐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287388C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410032867.1
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种化学去污液的处理方法，包括：制备化学去污液，其中溶解有用于溶解粘附于污染元件上的氧化膜的有机酸；和电解所述化学去污液，从而在阴极将化学去污液中的Fe3+离子还原为Fe2+离子，并在阳极将Fe2+离子氧化为Fe3+离子，并调整化学去污液中的铁离子价数。
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公开(公告)号：CN1267933C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310119684.9
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G21F9/28 , G21Y2002/201 , G21Y2002/202 , G21Y2002/601 , G21Y2004/40 , Y10S422/903
Abstract: 本发明披露了一种化学净化放射性材料的方法。所述方法包括：使放射性物质的表面与包含一元羧酸和二元羧酸作为溶剂的还原净化液接触的还原-溶解步骤；和使放射性物质的表面和包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化-溶解步骤。该方法可以包括重复的步骤对，每一对步骤包括还原-溶解步骤和氧化-溶解步骤。一元羧酸包括甲酸，而二元羧酸包括草酸。氧化剂可以是臭氧、高锰酸或高锰酸盐。
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公开(公告)号：CN1540675A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410032867.1
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种化学去污液的处理方法，包括：制备化学去污液，其中溶解有用于溶解粘附于污染元件上的氧化膜的有机酸；和电解所述化学去污液，从而在阴极将化学去污液中的Fe3+离子还原为Fe2+离子，并在阳极将Fe2+离子氧化为Fe3+离子，并调整化学去污液中的铁离子价数。
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