硅研磨方法以及硅研磨用组合物
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118974892A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202380030881.9

    申请日:2023-03-28

    Abstract: 提供能获得研磨效率的硅研磨加工方法以及硅研磨液26。在使用内包有研磨磨粒36的内包研磨磨粒型研磨垫即研磨垫18在不含研磨磨粒的研磨液(硅研磨用组合物)26的供给下对工件(硅晶片)16进行研磨时,研磨液26包含有机胺和水,研磨液26的pH值为10.6~12.8,因此在由有机胺带来的强的碱性下硅的反应性得到提高,因此能得到高的研磨效率。

    平面研磨装置
    2.
    发明公开
    平面研磨装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116803612A

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202310284072.2

    申请日:2023-03-22

    Inventor: 佐藤诚

    Abstract: 提供能得到研磨面的高的平坦性的廉价的平面研磨装置。由于在形成于由夹具旋转驱动装置(36)旋转驱动的贴附圆盘偏心夹具(30)的偏心孔(34)内嵌入有贴附圆盘(20),所以不需要使贴附圆盘(20)自转的自转旋转驱动装置,能得到廉价的平面研磨装置(10)。同时,由于由旋转方向限制装置(44)容许贴附圆盘(20)的沿与贴附圆盘偏心夹具(30)的旋转相同方向的旋转且阻止与该旋转相反方向的旋转,并且由夹具旋转抑制装置(58)在贴附圆盘偏心夹具(30)的预定的旋转相位期间暂时切断向贴附圆盘偏心夹具(30)传递的来自驱动导辊(42)的旋转力,所以贴附圆盘(20)的自转周期和公转周期被错开,这些周期变得不同步,能得到研磨面的高的平坦性。

    研磨体及其制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109475995B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN201780043156.X

    申请日:2017-07-10

    Abstract: 提供一种研磨体及其制造方法,所述研磨体是被用于CMP法的研磨加工的研磨体(LHA衬块),能够实现稳定的研磨性能且能够均匀地研磨被研磨体。研磨体(10)具备母材树脂(12)和多个研磨粒子(14),并具有多个纵长气孔(18)且被形成为圆板状,母材树脂(12)具备与纵长气孔(18)连通且互相连通的连通气孔(16),连通气孔(16)在连通气孔(16)内具备至少1个以上的研磨粒子(14),连通气孔(16)的平均孔径为研磨粒子(14)的平均粒径的18倍以下。因此,在研磨加工时,研磨体(10)通过在连通气孔(16)内稳定地包含研磨粒子(14)且具有纵长气孔(18),从而能够实现稳定的研磨性能,且能够均匀地研磨被研磨体。

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