导电性糊剂
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111755143B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202010212176.9

    申请日:2020-03-24

    Abstract: 提供:抑制耐电压的降低、能构筑高品质的MLCC的内部电极形成用的导电性糊剂。根据本发明,提供一种导电性糊剂,其用于导体膜的形成。该导电性糊剂包含:导电性粉末、电介质粉末、含硅化合物和有机成分。而且,在针对该导电性糊剂的焙烧物进行的XRD分析中,以源自硅钛钡石相的峰的峰强度相对于源自电介质的峰的峰强度之比成为26以下的方式进行调整。需要说明的是,此处,硅钛钡石相为由电介质粉末与含硅化合物的反应而形成的化合物相。另外,上述焙烧物通过将该导电性糊剂在非活性气氛下、以600℃进行加热处理去除了前述有机成分后,在非活性气氛下、以1300℃进行焙烧,从而制作。

    导体形成用糊剂
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107452435B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201710252999.2

    申请日:2017-04-18

    Abstract: [课题]提供能够以少的钛酸钡量实现导体膜的良好的连续性的导体形成用糊剂。[解决手段]通过本发明,提供包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质的导体形成用糊剂。该导体形成用糊剂中,钛酸钡颗粒的含量相对于镍颗粒100质量份为10质量份以下。另外,基于X射线光电子能谱(XPS)的镍颗粒表面的解析中,氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比(B/A)为0.2≤(B/A)

    导电性糊剂
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111755143A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010212176.9

    申请日:2020-03-24

    Abstract: 提供:抑制耐电压的降低、能构筑高品质的MLCC的内部电极形成用的导电性糊剂。根据本发明,提供一种导电性糊剂,其用于导体膜的形成。该导电性糊剂包含:导电性粉末、电介质粉末、含硅化合物和有机成分。而且,在针对该导电性糊剂的焙烧物进行的XRD分析中,以源自硅钛钡石相的峰的峰强度相对于源自电介质的峰的峰强度之比成为26以下的方式进行调整。需要说明的是,此处,硅钛钡石相为由电介质粉末与含硅化合物的反应而形成的化合物相。另外,上述焙烧物通过将该导电性糊剂在非活性气氛下、以600℃进行加热处理去除了前述有机成分后,在非活性气氛下、以1300℃进行焙烧,从而制作。

    导体形成用糊剂
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107452435A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710252999.2

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 提供能够以少的钛酸钡量实现导体膜的良好的连续性的导体形成用糊剂。通过本发明,提供包含镍颗粒、钛酸钡颗粒和分散介质的导体形成用糊剂。该导体形成用糊剂中,钛酸钡颗粒的含量相对于镍颗粒100质量份为10质量份以下。另外,基于X射线光电子能谱(XPS)的镍颗粒表面的解析中,氢氧化镍的摩尔分数B相对于氧化镍的摩尔分数A之比(B/A)为0.2≤(B/A)

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