公开(公告)号：CN111755143B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010212176.9

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社则武

Inventor： 平木康广 ,  福岛泰基 ,  小川昌辉

IPC: H01B1/22 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30

Abstract: 提供：抑制耐电压的降低、能构筑高品质的MLCC的内部电极形成用的导电性糊剂。根据本发明，提供一种导电性糊剂，其用于导体膜的形成。该导电性糊剂包含：导电性粉末、电介质粉末、含硅化合物和有机成分。而且，在针对该导电性糊剂的焙烧物进行的XRD分析中，以源自硅钛钡石相的峰的峰强度相对于源自电介质的峰的峰强度之比成为26以下的方式进行调整。需要说明的是，此处，硅钛钡石相为由电介质粉末与含硅化合物的反应而形成的化合物相。另外，上述焙烧物通过将该导电性糊剂在非活性气氛下、以600℃进行加热处理去除了前述有机成分后，在非活性气氛下、以1300℃进行焙烧，从而制作。

公开(公告)号：CN111755143A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010212176.9

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社则武

Inventor： 平木康广 ,  福岛泰基 ,  小川昌辉

IPC: H01B1/22 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30

Abstract: 提供：抑制耐电压的降低、能构筑高品质的MLCC的内部电极形成用的导电性糊剂。根据本发明，提供一种导电性糊剂，其用于导体膜的形成。该导电性糊剂包含：导电性粉末、电介质粉末、含硅化合物和有机成分。而且，在针对该导电性糊剂的焙烧物进行的XRD分析中，以源自硅钛钡石相的峰的峰强度相对于源自电介质的峰的峰强度之比成为26以下的方式进行调整。需要说明的是，此处，硅钛钡石相为由电介质粉末与含硅化合物的反应而形成的化合物相。另外，上述焙烧物通过将该导电性糊剂在非活性气氛下、以600℃进行加热处理去除了前述有机成分后，在非活性气氛下、以1300℃进行焙烧，从而制作。