公开(公告)号：CN117096040A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311062179.9

申请日：2020-05-20

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。其依序包括：准备临时固定用层叠体的工序，临时固定用层叠体包含支撑基板及临时固定材料层，支撑基板具有支撑面及与支撑面为相反侧的背面，临时固定材料层设置于支撑面上；经由临时固定材料层将半导体部件临时固定于支撑基板的工序；对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序；及从背面侧对临时固定用层叠体照射光，由此将半导体部件从支撑基板分离的工序，且临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层，对多个被照射区域依次照射光，各个被照射区域包含背面的一部分，从与背面垂直的方向观察时，相邻的被照射区域彼此部分重叠，且多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

公开(公告)号：CN113840891B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202080036919.X

申请日：2020-05-20

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  川守崇司 ,  祖父江省吾 ,  大山恭之

IPC: C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其包括：对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序；以及对临时固定用层叠体从支撑基板的背面侧照射光，由此将半导体部件从支撑基板分离的工序。对多个被照射区域依次照射光，各个被照射区域包含背面的部分。从与背面垂直的方向观察时，相邻的被照射区域彼此一部分重叠，且将多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

公开(公告)号：CN119731764A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380036747.X

申请日：2023-07-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫泽笑 ,  赤须雄太 ,  槚本哲也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开一种用于暂时固定半导体部件和支承部件的暂时固定用膜。该暂时固定用膜含有具有羟基的紫外线吸收剂、具有能够与羟基反应的官能团的热固性树脂及热塑性树脂。

公开(公告)号：CN117238828A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311199289.X

申请日：2018-11-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫泽笑 ,  早坂刚 ,  川守崇司 ,  须方振一郎 ,  稻叶贵一 ,  西户圭祐

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C09J4/00 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及一种临时固定用层叠体和半导体装置的制造方法。本发明的临时固定用层叠体，其具备支撑构件以及设置于所述支撑构件上的包含吸收光而产生热的导电体的导电体层，所述支撑构件为玻璃基板。

公开(公告)号：CN111418044B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201880077311.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫泽笑 ,  早坂刚 ,  川守崇司 ,  须方振一郎 ,  稻叶贵一 ,  西户圭祐

IPC: H01L21/304 ,  C09J4/00 ,  C09J7/30 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及分离工序，对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。

公开(公告)号：CN117882174A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058662.7

申请日：2022-08-30

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 赤须雄太 ,  宫泽笑 ,  榎本哲也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用膜。该临时固定用膜含有炭黑和固化性树脂成分。固化性树脂成分包含热固性树脂及热塑性树脂。热塑性树脂为烃树脂。在该临时固定用膜中，炭黑的含量满足下述条件(i)及条件(ii)中的至少一个条件。条件(i)：相对于固化性树脂成分的总量100质量份为0.1～25质量份。条件(ii)：以临时固定用膜的总体积为基准为0.1～10体积％。

公开(公告)号：CN116323750A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180067233.1

申请日：2021-09-24

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 大山恭之 ,  宫泽笑 ,  赤须雄太 ,  祖父江省吾

IPC: C08G59/42

Abstract: 本发明公开一种用于临时固定半导体部件和支承部件的临时固定用膜。该临时固定用膜含有固化性树脂成分。该临时固定用膜的固化后的270℃的储能模量为1.5～20MPa。该临时固定用膜的固化后的25℃的储能模量为1.5～150MP a。

公开(公告)号：CN116261778A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180067175.2

申请日：2021-09-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 大山恭之 ,  宫泽笑 ,  赤须雄太 ,  古谷凉士

IPC: H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括对临时固定用层叠体照射光，由此将半导体部件从临时固定用树脂层分离。临时固定用层叠体通过包括如下工序的方法形成，即，以第1主表面与光吸收层接触的朝向，将临时固定用膜材料层叠在光吸收层上的工序；及将第2剥离膜从临时固定用膜材料剥离，使第2主表面露出的工序。临时固定用树脂层的第1主表面及第2主表面在刚体摆测定中的对数衰减率的最大值分别为δmax1及δmax2时，δmax2小于δmax1。