半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117096040A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311062179.9

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。其依序包括:准备临时固定用层叠体的工序,临时固定用层叠体包含支撑基板及临时固定材料层,支撑基板具有支撑面及与支撑面为相反侧的背面,临时固定材料层设置于支撑面上;经由临时固定材料层将半导体部件临时固定于支撑基板的工序;对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序;及从背面侧对临时固定用层叠体照射光,由此将半导体部件从支撑基板分离的工序,且临时固定材料层的一部分或全部为吸收光而产生热的光吸收层,对多个被照射区域依次照射光,各个被照射区域包含背面的一部分,从与背面垂直的方向观察时,相邻的被照射区域彼此部分重叠,且多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

    半导体装置的制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113840891B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202080036919.X

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法,其包括:对临时固定于支撑基板的半导体部件进行加工的工序;以及对临时固定用层叠体从支撑基板的背面侧照射光,由此将半导体部件从支撑基板分离的工序。对多个被照射区域依次照射光,各个被照射区域包含背面的部分。从与背面垂直的方向观察时,相邻的被照射区域彼此一部分重叠,且将多个被照射区域合并而成的区域包含背面整体。

Patent Agency Ranking