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公开(公告)号：CN119137712A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380035614.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/3065
Abstract: 作为一例，本发明涉及一种使用有机绝缘膜作为绝缘膜的混合接合制法。在使用有机绝缘膜的混合接合制法中，通过接合时的加热，有时在由金属等组成的端子电极与有机绝缘膜之间产生热膨胀差，因此需要预先在端子电极的前端面与有机绝缘膜的表面之间设置规定的段差(D)。在本发明中，为了设置这种段差(D)，对半导体基板(100)的表面照射等离子体(作为一例，为氩等离子体)。在该等离子体照射中，以半导体基板(100)的有机绝缘膜(102)的表面(102a)比电极(103)的前端面(103a)更靠里侧的方式，通过等离子体对有机绝缘膜(102)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN117015844A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280022568.6
申请日：2022-03-24
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301
Abstract: 半导体装置的制造方法具备：准备第1半导体基板的工序；准备第2半导体基板的工序；研磨第2半导体基板的第2绝缘膜的工序；将第2半导体基板单片化，获取分别具备与第2绝缘膜对应的绝缘膜部分和第2电极的多个半导体芯片的工序；对第1半导体基板的第1电极进行半导体芯片的第2电极的位置对准的工序；相互贴合第1绝缘膜与半导体芯片的绝缘膜部分的工序；及接合第1电极与第2电极的工序。在获取多个半导体芯片的工序中，一边使用在清洗液内导入气体而成的混合清洗流体来清洗第2半导体基板，一边通过切割将第2半导体基板单片化。
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公开(公告)号：CN119173987A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202280095500.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 株式会社力森诺科
Inventor： 福住志津
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法具有下述步骤：在使树脂膜介于半导体元件和基板之间的状态下、使上述半导体元件中的焊料层与上述基板中的金属凸部的前端相接触而将上述半导体元件层叠于上述基板上的步骤，其中，上述半导体元件具备在前端部具有上述焊料层的突起电极，上述基板在与上述半导体元件的具备上述突起电极那侧的面相向侧的面上具备表面具有上述金属凸部的电极垫；以及通过加热将上述焊料层熔融、从而将上述基板与上述半导体元件连接的步骤。
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公开(公告)号：CN119054059A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280095052.4
申请日：2022-04-22
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置的制造方法具备如下工序：准备具有第1基板主体、第1绝缘膜及多个第1电极的第1半导体基板；准备具有第2基板主体、第2绝缘膜及多个第2电极的第2半导体基板；彼此贴合第1绝缘膜与第2绝缘膜并且接合多个第1电极与多个第2电极而获得混合接合结构体；在第2基板主体中形成多个连接凸块；切割混合接合结构体，获得分别包含第1半导体元件、第1电极、第2半导体元件、第2电极及连接凸块的多个混合接合结构零件；将第1混合接合结构零件安装于其他部件；在第1混合接合结构零件与其他部件之间的间隙中注入第1液态材料；及使第1液态材料固化。
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公开(公告)号：CN116998004A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022569.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括如下工序：提供具备第1半导体基板及第1布线层的第1集成电路元件的工序；提供具备第2半导体基板及第2布线层的第2集成电路元件的工序；将第1集成电路元件的第1绝缘层与第2集成电路元件的第2绝缘层彼此接合的工序；及将第1集成电路元件的第1电极与第2集成电路元件的第2电极彼此接合的工序。第1绝缘层包含无机绝缘材料。在第1布线层中的第1绝缘层的与第1电极的配置部位不同的位置上设置有从与第2绝缘层接合的接合面朝向第1半导体基板凹陷的多个第1开口部，多个第1开口部不连续地包围第1电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116982150A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020847.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/768
Abstract: 半导体装置的制造方法具备：提供具备第1半导体基板和第1绝缘膜及第1电极的第1集成电路元件的工序；提供具有第2半导体基板和第2绝缘膜及第2电极的第2集成电路元件的工序；将第1绝缘膜和第2绝缘膜相互接合的工序；及将第1电极和第2电极相互接合的工序。第1绝缘膜具有第1无机绝缘层和第1有机绝缘层。第1有机绝缘层在第1集成电路元件中位于与第1半导体基板相反的一侧的第1接合面侧。第2绝缘膜具有第2无机绝缘层和第2有机绝缘层。第2有机绝缘层在第2集成电路元件中位于与第2半导体基板相反的一侧的第2接合面侧。第1有机绝缘层的厚度比第1无机绝缘层薄，第2有机绝缘层的厚度比第2无机绝缘层薄。
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公开(公告)号：CN119110986A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380037184.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置的制造方法包括：准备第1半导体基板的工序；准备第2半导体基板的工序；将第2半导体基板单片化，获取多个半导体芯片的工序；及将第1半导体基板及半导体芯片加热及加压，使第1有机绝缘膜与半导体芯片的绝缘膜部分相互接合，并且使第1电极与第2电极相互接合的工序。在将第1半导体基板及半导体芯片加热之前，第1电极从第1有机绝缘膜的表面突出的第1突出量及第2电极从第2有机绝缘膜或绝缘膜部分的表面突出的第2突出量中的至少一者为相对于式(1)所示的突出量ΔL在130％以内的突出量。在式(1)中，D为有机绝缘膜的膜厚，ΔT为加热温度的温度差，α1为有机绝缘膜的线膨胀系数，α2为电极的线膨胀系数。[数式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119096341A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202280095053.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/60
Abstract: 半导体装置具备第1混合接合结构零件及第1凸块连接零件。第1混合接合结构零件具有第1半导体零件及第2半导体零件，该第1半导体零件包含第1半导体芯片、和设置于第1半导体芯片上的第1绝缘膜及第1电极，该第2半导体零件包含第2半导体芯片、和设置于第2半导体芯片上的第2绝缘膜及第2电极。第1绝缘膜与第2绝缘膜贴合并且第1电极与第2电极接合。第1凸块连接零件具有贴附于第1混合接合结构零件的第2半导体芯片的与第2绝缘膜相反的一侧的面的第1膜部件、及配置于第1膜部件中且与第2半导体芯片的电极连接的第1连接凸块。
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公开(公告)号：CN119054049A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202280094999.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：准备层叠体的工序，该层叠体具备半导体基材、配置于半导体基材的主面的电极及配置于主面且含有具有固化性的树脂材料的有机绝缘膜；使有机绝缘膜固化的工序；沿着切断预定线切断层叠体来获取至少一个集成电路要素的工序；及将获取到的集成电路要素与其他集成电路要素接合的工序。半导体装置的制造方法包括在使有机绝缘膜固化的工序之前去除有机绝缘膜中的与切断预定线对应的切断预定部分的至少一部分的工序。
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公开(公告)号：CN118969761A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411023209.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 半导体元件的安装构造由具有元件电极的半导体元件与具有基板电极的基板经由所述元件电极与所述基板电极连接而成，该基板电极设于与所述半导体元件对置的一侧的面的与所述元件电极对置的位置，所述元件电极以及所述基板电极的一方是在前端部具有焊料层的第一突起电极，所述元件电极以及所述基板电极的另一方是在表面具有一个或两个以上的金属凸部的第一电极焊盘，所述第一电极焊盘所具有的所述金属凸部穿入所述第一突起电极所具有的所述焊料层，所述第一电极焊盘所具有的所述金属凸部的底部面积相对于所述第一电极焊盘的面积为70％以下、或者相对于在所述前端部具有焊料层的第一突起电极的所述焊料层的最大截面积为75％以下。
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