公开(公告)号：CN117457510A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310927408.2

申请日：2023-07-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田村辽 ,  中村弘司 ,  薮下谕 ,  谷口彻弥 ,  佐久间和则

IPC: H01L21/56 ,  B32B27/30 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08

Abstract: 本发明提供一种能够有效地降低半导体封装表面的光泽度的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。本发明的脱模膜包含脱模层和基材层，所述脱模层包含两种以上的聚合物，所述脱模层的表面具有凹凸形状，满足(1)～(3)的至少一个。(1)在平面观察脱模层的表面时，凹部在表面中所占的比例小于或等于50面积％。在将脱模层的凹凸形状转印于成形品时，(2)成形品的表面的算术平均粗糙度(Ra)相对于脱模层的表面的算术平均粗糙度(Ra)的百分率(转印率)大于或等于100％，(3)成形品的表面的光泽度(20°)小于或等于8.0。

公开(公告)号：CN119317537A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380037099.X

申请日：2023-06-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 松原望 ,  津田义博 ,  横田弘 ,  东内智子 ,  古川直树 ,  谷口彻弥 ,  佐久间和则

IPC: B32B27/00 ,  B32B5/18 ,  B32B7/027 ,  C08K7/22 ,  C09J7/26 ,  C09J201/00

Abstract: 一种片材，其具备绝热层和压敏胶黏层，绝热层含有作为热膨胀性的有机中空粒子的第一中空粒子、作为除了第一中空粒子以外的有机中空粒子的第二中空粒子及基质聚合物。

公开(公告)号：CN119161817A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410783739.8

申请日：2024-06-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷口彻弥 ,  薮下谕

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  C08F220/44 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及粘合薄膜和半导体装置的制造方法。粘合薄膜具备：包含2种以上聚合物的粘合层和基材层，满足(1)或(2)。(1)将前述粘合薄膜伸长200％时的前述粘合层的表面的算术平均高度(Sa)的值S’与伸长前的前述粘合薄膜的前述粘合层的表面的算术平均高度(Sa)的值S的比S’/S为9.5以下。(2)前述聚合物的至少2种的SP值的差为0.3以下，且羟值比为40以下。

公开(公告)号：CN119522478A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380055266.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中村弘司 ,  田村辽 ,  薮下谕 ,  谷口彻弥 ,  佐久间和则

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，脱模层包含2种以上的聚合物，且所述脱模膜满足（1）~（4）中的至少一者。（1）所述脱模层具有成分比率不同的多种区域，在所述不同的多种区域中进行拉曼光谱测定时，在不同的多种区域的至少一部分分别显示不同的峰强度。（2）所述脱模层的表面具有凹凸形状，在凸部和凹部进行拉曼光谱测定时，在所述凸部的至少一部分和所述凹部的至少一部分分别显示不同的峰强度。（3）至少2种所述聚合物的SP值之差大于或等于0.3。（4）聚合物的至少1种为含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。

公开(公告)号：CN111801781B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201980016195.X

申请日：2019-01-17

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷口彻弥 ,  佐藤慎 ,  茶花幸一 ,  上野恵子

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J163/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的半导体用粘接剂为在半导体装置中用于连接部的至少一部分的密封的半导体用粘接剂，所述半导体装置是将半导体芯片及布线电路基板的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置、或者是将多个半导体芯片的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置，半导体用粘接剂的触变值为1.0以上且3.1以下，触变值是下述的值：对于将半导体用粘接剂层叠至厚度400μm的样品，利用剪切粘度测定装置在温度为120℃的恒定条件下测定使频率从1Hz连续变化至70Hz时的粘度，将7Hz时的粘度值除以70Hz时的粘度值所获得的值即为上述触变值。

公开(公告)号：CN117457509A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310924585.5

申请日：2023-07-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中村弘司 ,  田村辽 ,  佐久间和则 ,  薮下谕 ,  谷口彻弥

IPC: H01L21/56 ,  B32B27/36 ,  B32B27/30 ,  B32B27/08

Abstract: 本发明提供一种脱模层的断裂得以抑制、且能够减少半导体封装表面的密封材料的流痕的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。本发明的脱模膜包含脱模层和基材层，所述脱模层的断裂伸长率大于或等于100％，且所述脱模层的表面粗糙度Ra大于或等于0.2μm。