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公开(公告)号：CN116490583A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180005952.0
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C09J11/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其中，第一及第二部件经由黏合层连接，且第一及第二部件的连接部彼此连接。该制造方法包括：暂时压接工序，对第一及第二部件经由用于形成黏合层的热固性黏合剂进行暂时压接而获得暂时压接体；暂时压接体加压工序，在加压气氛下对暂时压接体加压，而获得完成加压的暂时压接体；及正式压接工序，使完成加压的暂时压接体的第一及第二部件压接由此将连接部彼此连接而获得压接体。在暂时压接工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行第一及第二部件的暂时压接。在暂时压接体加压工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行暂时压接体的加压。在正式压接工序中，在连接部的熔点以上的温度下进行完成加压的暂时压接体的加热。
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公开(公告)号：CN111801781B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201980016195.X
申请日：2019-01-17
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/60 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的半导体用粘接剂为在半导体装置中用于连接部的至少一部分的密封的半导体用粘接剂，所述半导体装置是将半导体芯片及布线电路基板的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置、或者是将多个半导体芯片的各自的连接部的电极彼此相互电连接而成的半导体装置，半导体用粘接剂的触变值为1.0以上且3.1以下，触变值是下述的值：对于将半导体用粘接剂层叠至厚度400μm的样品，利用剪切粘度测定装置在温度为120℃的恒定条件下测定使频率从1Hz连续变化至70Hz时的粘度，将7Hz时的粘度值除以70Hz时的粘度值所获得的值即为上述触变值。
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公开(公告)号：CN116783263A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280010922.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C09J163/00
Abstract: 本发明公开一种半导体用黏合剂，其在半导体芯片的多个连接部及配线电路基板的多个连接部彼此电连接的半导体装置、或多个半导体芯片的各自的多个连接部彼此电连接的半导体装置中，用于密封彼此电连接的连接部中的至少一部分。半导体用黏合剂含有环氧树脂、固化剂、热塑性树脂及无机填料。无机填料在含有平均粒径为100～400nm的无机填料，或通过动态光散射法对无机填料测定粒度分布时，在所得到的粒度分布中，在粒径100～400nm的位置显示至少一个极大值。
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公开(公告)号：CN116195040A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180058244.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法，其中，带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备：通过将具有半导体芯片或半导体晶圆和膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而贴附于主面。膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处理时，膜状黏合剂的80℃下的熔融粘度在热处理前为4000Pa·s以上且10000Pa·s以下，在热处理后为11000Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN119592277A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411900776.9
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C09J163/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/56 , C09J11/08 , C09J11/04 , C09J163/02
Abstract: 本发明提供一种半导体用黏合剂、半导体装置的制造方法及半导体装置，所述半导体用黏合剂含有重均分子量小于10000的树脂、固化剂、无机填料、硅酮橡胶填料、重均分子量为10000以上的高分子成分和助熔剂，以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，所述无机填料的含量为20质量％～50质量％，所述半导体用黏合剂是厚度为2.5～20μm的膜状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119183605A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202480001951.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 本发明的半导体用膜状黏合剂，其沿着厚度方向具有不包含助熔剂化合物的第1黏合剂区域及包含助熔剂化合物的第2黏合剂区域，第1黏合剂区域包含第1环氧树脂、第1咪唑类固化剂及(甲基)丙烯酸化合物，第2黏合剂区域包含第2环氧树脂、第2咪唑类固化剂及助熔剂化合物。
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公开(公告)号：CN112930584B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201980070581.7
申请日：2019-11-06
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301 , C09J7/25 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有：准备在其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，将具备包含基材及压敏胶黏剂层的背面研磨带、以及形成于压敏胶黏剂层上的黏合剂层的半导体晶圆加工用胶黏膜贴附于所述半导体晶圆的设置有电极的一侧，从而获得层叠体的工序；磨削半导体晶圆而对半导体晶圆进行厚度薄化的工序；对经厚度薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切片而单片化为带黏合剂层的半导体芯片的工序；以及将带黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接的工序，背面研磨带的厚度为75μm～300μm，压敏胶黏剂层的厚度为黏合剂层的厚度的3倍以上。
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公开(公告)号：CN117916333A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060026.8
申请日：2022-10-18
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C09J7/30 , C09J4/02 , C09J7/38 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体用膜状黏合剂(1)，其沿着厚度方向具有第1黏合剂区域(2)和第2黏合剂区域(3)，第1黏合剂区域(2)具有光固性及热固性，第2黏合剂区域(3)不具有光固性而具有热固性。
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公开(公告)号：CN119856252A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380041124.1
申请日：2023-07-11
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在主面的一方具有多个电极的半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；对半导体晶圆进行研削来使其薄化；对薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切割而使其单片化为附有黏合剂层的半导体芯片；及将附有黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接，半导体晶圆及层叠体在俯视下具有圆形的形状，在俯视时，半导体晶圆的直径A与层叠体的直径X满足下述式(1)的关系。A＜X≤A+5mm…(1)。
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公开(公告)号：CN119856251A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380041123.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；对半导体晶圆进行研削来使其薄化；对薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切割而使其单片化为附有黏合剂层的半导体芯片；及将附有黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接，半导体晶圆及层叠体在俯视下具有圆形的形状，在俯视时，半导体晶圆的直径A与层叠体的直径X满足下述式(1)的关系。A‑1.5mm≤X＜A…(1)
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