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公开(公告)号:CN117836927A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280057065.2
申请日:2022-08-24
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L23/14
Abstract: 本发明的一方面涉及一种半导体装置的制造方法,其依次包括:在基板上涂布树脂组合物并干燥而形成树脂膜的工序;加热树脂膜而获得树脂固化膜的工序;在树脂固化膜的表面上通过溅射而形成金属种子层的工序;在金属种子层的表面上形成具有配线图案形成用的开口部的抗蚀剂图案的工序;在金属种子层的表面的从抗蚀剂图案露出的区域,通过电解镀敷形成具有配线宽度3μm以下、配线间距离3μm以下的配线图案的金属层的工序;去除抗蚀剂图案的工序;及去除通过抗蚀剂图案的去除而露出的金属种子层的工序,树脂固化膜的交联密度为0.1×10‑3~110×10‑3mol/cm3。
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公开(公告)号:CN117280447A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202180098159.X
申请日:2021-05-14
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明涉及一种感光性树脂组合物的选择方法,其包括:在基板上涂布感光性树脂组合物并干燥而形成树脂膜的工序;在氮氛围气下对树脂膜进行加热处理而获得固化膜的工序;及在氮氛围气下以10℃/分钟从25℃升温至300℃而测量固化膜的重量损失的工序,所述感光性树脂组合物的选择方法选择固化膜在300℃下的重量损失率为1.0~6.0%的感光性树脂组合物。
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