制造配线基板的方法、评价抗蚀剂层或配线基板的方法及配线基板

    公开(公告)号:CN119054419A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202380035263.3

    申请日:2023-08-09

    Abstract: 一种制造配线基板的方法,所述方法包括如下工序:在设置于基板的主面上且包含金属的种子层上设置抗蚀剂层;通过抗蚀剂层的曝光及显影,在抗蚀剂层上形成包括供种子层露出的开口的图案;及通过电解镀敷在开口内露出的种子层上形成包括具有小于10μm的宽度的部分的镀铜层。以使在包括种子层及镀铜层的金属部的截面中观测到的黑色部在镀铜层的宽度方向上的占有率即BP占有率成为45%以下的方式形成镀铜层。选择抗蚀剂层。BP占有率为通过如下方法确定的值,所述方法包括根据下述式计算所述BP占有率的工序。[数式1]#imgabs0#

    树脂固化膜、半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117836927A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202280057065.2

    申请日:2022-08-24

    Abstract: 本发明的一方面涉及一种半导体装置的制造方法,其依次包括:在基板上涂布树脂组合物并干燥而形成树脂膜的工序;加热树脂膜而获得树脂固化膜的工序;在树脂固化膜的表面上通过溅射而形成金属种子层的工序;在金属种子层的表面上形成具有配线图案形成用的开口部的抗蚀剂图案的工序;在金属种子层的表面的从抗蚀剂图案露出的区域,通过电解镀敷形成具有配线宽度3μm以下、配线间距离3μm以下的配线图案的金属层的工序;去除抗蚀剂图案的工序;及去除通过抗蚀剂图案的去除而露出的金属种子层的工序,树脂固化膜的交联密度为0.1×10‑3~110×10‑3mol/cm3。

    配线结构体的制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119096349A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202280095270.8

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明公开一种配线结构体的制造方法。该配线结构体的制造方法包括:在支撑基板上形成沿着支撑基板的主面且在主面露出的改性区域的工序;以与改性区域密合的方式在主面上形成导体层的工序;在导体层上形成配线的工序;以覆盖配线的方式在导体层上形成绝缘层的工序;从导体层剥离支撑基板的工序;及去除导体层的工序。

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