公开(公告)号：CN111283206B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010141856.6

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 川名祐贵 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则 ,  中子伟夫 ,  须镰千绘 ,  石川大

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/052 ,  B22F1/068 ,  B22F1/10 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。

公开(公告)号：CN111360270B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202010311153.3

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中子伟夫 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  川名祐贵

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/068 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。

公开(公告)号：CN111230125B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010103624.1

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 石川大 ,  川名祐贵 ,  须镰千绘 ,  中子伟夫 ,  江尻芳则 ,  蔵渊和彦

IPC: B22F7/06 ,  B22F1/05 ,  B22F1/068 ,  H01L21/52 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。

公开(公告)号：CN117577592A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311570231.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 满仓一行 ,  鸟羽正也 ,  江尻芳则 ,  蔵渊和彦

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种可以提高绝缘可靠性的有机插入体及其制造方法。有机插入体(10)具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体(12)；和在有机绝缘层叠体(12)内排列的多个配线(13)，配线(13)与有机绝缘层被阻隔金属膜(14)隔开。有机绝缘层叠体(12)可以含有：具有配置有配线(13)的多个凹槽部(21a)的第一有机绝缘层(21)；和按照填埋配线(13)的方式层叠在第一有机绝缘层(21)上的第二有机绝缘层(22)。